SK Hynix joins $1T club amid AI chip boom

📊 競品分析▸ Show

特性/公司	SK Hynix	Samsung Electronics	Micron Technology
HBM 市場份額 (2025年Q4)	57%	22%	21%
HBM3E 量產	2024年3月 (8層), 2024年9月 (12層)	2024年 (HBM3P), 2024年2月 (HBM3E)	2024年2月 (HBM3E)
HBM4 開發/量產	2025年9月完成開發並準備量產, 2026年量產	2026年全面供應, 2025年Q3/Q4樣品	2026年量產, 2025年Q4樣品
HBM4 主要客戶	Nvidia (Vera Rubin平台約70%訂單)	Nvidia (HBM3E驗證有挑戰)	Nvidia (較小份額)
HBM4E 規劃	2026年下半年提供樣品，2027年量產	2026年全面供應	2026年量產
主要技術優勢	HBM3/HBM3E/HBM4領先地位，MR-MUF封裝技術	致力於HBM3E/HBM4追趕	1β DRAM製程技術，HBM3E性能領先

HBM3E (第五代HBM):
- 速度: 12層堆疊產品的針腳速度達到9.6 Gbps 或9.8 Gbps。
- 頻寬: 12層堆疊產品提供1.18 TB/s的頻寬，最高可達1.22 TB/s（當GPU使用8個堆疊時）。
- 容量: 12層堆疊產品提供36GB的單堆疊容量。
- 介面: 1024位元介面。
- 堆疊技術: 採用12-Hi堆疊，DRAM晶片厚度減少40%以在相同厚度下增加容量。
- 應用: 主要用於NVIDIA Blackwell B200、AI訓練、大型語言模型（LLM）訓練及GPU加速器。
HBM4 (第六代HBM):
- 介面: 採用2,048個I/O終端，比前一代增加一倍。
- 速度: 操作速度超過10 Gbps，遠超JEDEC標準的8 Gbps。
- 頻寬: 每堆疊頻寬翻倍，預計超過2.0 TB/s。
- 功耗效率: 功耗效率提升超過40%。
- 製程技術: 採用1bnm製程（第五代10奈米技術）。
- 封裝技術: 採用Advanced MR-MUF製程，該技術在市場上已證明可靠。
- 客製化HBM方案: SK Hynix正與台積電合作開發客製化HBM及基底晶片（base die），將HBM控制器移至基底晶片，以允許GPU和ASIC製造商增加運算矽面積並降低介面功耗。

SK Hynix將透過其HBM技術領導地位，在AI記憶體市場保持主導地位直至2027年。

該公司2026年的HBM產能已售罄，且預計記憶體短缺將持續到2027年，賦予其定價權。

SK Hynix與台積電在客製化HBM解決方案上的合作將進一步鞏固其在下一代AI加速器記憶體市場的競爭優勢。

將HBM控制器移至基底晶片並與台積電合作，能讓GPU和ASIC製造商分配更多面積給運算矽，同時降低介面功耗，滿足客戶對極致頻寬和功耗效率的需求。

隨著AI應用從模型訓練轉向推論階段，SK Hynix的HBM產品需求將持續增長，推動其營收和利潤進一步提升。

AI市場的演進將導致記憶體半導體的使用量飆升，所有記憶體產品（包括HBM3E、HBM4和通用DRAM）都處於短缺狀態。

2013-10

SK Hynix生產出首款HBM記憶體晶片，HBM被JEDEC採納為行業標準。

2021-10

SK Hynix率先完成HBM3記憶體開發。

2022-06

SK Hynix開始量產業界首款HBM3記憶體，用於Nvidia H100 GPU。

2024-03

SK Hynix開始量產HBM3E記憶體。

2024-09

SK Hynix開始量產全球首款12層HBM3E產品，容量達36GB。

2025-09

SK Hynix完成HBM4開發並準備量產。

受惠AI晶片熱潮，SK Hynix市值突破1兆美元