Huawei Launches 122TB SSD Using Innovative DoB Packaging

•華為的DoB技術是為規避美國制裁而開發的，使其在無法取得主流供應商（如三星、SK海力士、美光）的100層以上先進3D NAND晶片的情況下，仍能實現高密度儲存。
•DoB技術透過將NAND裸片直接安裝到PCB上，突破了傳統封裝（如TSOP/BGA）的16層堆疊限制，最高可實現36層堆疊，並將容量密度提升33%。
•華為的DoB技術使其能夠利用國產NAND供應商（如長江存儲，其Xtacking 4.0 3D NAND目前限制在232層）的晶片，透過封裝創新來彌補NAND層數上的密度差距。
•此DoB技術已應用於華為的企業級儲存產品線，包括OceanStor Pacific 9926全快閃分散式儲存系統，搭配OceanDisk QLC PCIe Gen4 SSD。
•規劃中的245TB LC560 AI SSD版本將在控制器中整合AI加速單元，實現儲存與運算同步進行，並將資料傳輸能耗降低80%。

📊 競品分析▸ Show

特性/公司	華為 (DoB SSD)	Kioxia (LC9 系列)	Micron (6600 ION)	Phison (Pascari D206V)
容量 (已量產/規劃)	61.44TB, 122.88TB (已量產); 245TB (規劃中)	122.88TB (樣品, 2025-03); 245.76TB (樣品, 2025-07)	245TB (已出貨, 2026-05)	245.76TB (展示, 2026-05)
NAND 技術	國產NAND (如YMTC 232層), 搭配DoB封裝	BiCS FLASH™ 第8代 2Tb QLC	G9 QLC NAND	未明確說明 (支援高容量企業級儲存)
介面	PCIe Gen4 (OceanDisk QLC SSD)	PCIe 5.0, 雙埠	PCIe Gen5	PCIe Gen5, 雙埠
主要技術/特色	DoB封裝 (最高36層堆疊), 容量密度提升33%, 控制器整合AI加速單元 (LC560)	OCP Datacenter NVMe SSD v2.5, FDP, 安全選項 (SIE, SED, FIPS SED), CNSA 2.0加密	U.2及E3.L外形, 最大功耗30W, AI工作負載能效提升84倍	PLP, AES-256加密, TCG Opal 2.0, 端到端資料保護, OCP Datacenter NVMe SSD規範
循序讀取速度	LC560規劃14.7GB/s	最大12GB/s (245.76TB型號)	最大14GB/s	最大14GB/s
循序寫入速度	LC560規劃14.7GB/s	最大3GB/s (245.76TB型號)	最大2.7GB/s (30.72TB型號)	未明確說明
隨機讀取 IOPS	EX 560: 150萬; SP 560: 60萬	未明確說明	200萬 (30.72TB型號)	262.5萬
隨機寫入 IOPS	EX 560: 150萬; SP 560: 60萬	未明確說明	10萬 (4KB, 30.72TB型號)	未明確說明
定價	未公開	未公開	未公開	未公開

DoB (Die-on-Board) 技術原理：這是一種晶圓級封裝技術，將半導體裸片（例如NAND裸片）直接安裝到基板印刷電路板（PCB）上，而非先進行傳統封裝（如TSOP或BGA）再安裝。
突破傳統限制：傳統NAND封裝受限於固定物理尺寸，通常最多只能實現16層裸片堆疊。DoB技術透過跳過獨立封裝環節，實現更靈活的裸片堆疊，最高可達36層。
容量密度提升：相較於傳統封裝方式，DoB技術可將單位空間內的容量密度提升33%。
性能與功耗優勢：由於互連線路更短，DoB技術有助於提升SSD的性能和電源效率。
成本效益：DoB技術透過簡化封裝流程，省去了傳統NAND封裝中的多個昂貴環節，從而降低生產成本。
技術挑戰與解決方案：華為在開發DoB技術時，成功解決了散熱管理和訊號完整性等行業難題，實現了規模化商用。
NAND晶片來源：華為主要依賴國內NAND供應商，例如長江存儲（YMTC）的Xtacking 4.0 3D NAND技術，該技術目前堆疊層數限制在232層。
產品應用：DoB技術已應用於華為的OceanStor Pacific 9926全快閃儲存系統，搭配OceanDisk QLC PCIe Gen4 SSD。
AI SSD架構 (LC560)：規劃中的245TB LC560 AI SSD在控制器中整合了AI加速單元，能夠實現儲存與運算同步進行，並將資料傳輸能耗降低80%。

華為將鞏固其在中國AI資料中心儲存市場的領導地位。

DoB技術使其能夠在美國制裁下，利用國產NAND實現高密度SSD，滿足AI對海量儲存的迫切需求，提供國產化替代方案。

晶片封裝創新將成為規避半導體供應鏈限制的關鍵策略。

華為的DoB技術展示了系統級工程如何部分抵消製程節點限制，為其他受制裁的中國科技公司提供了繞過技術壁壘的範例。

高容量QLC SSD將加速取代傳統HDD在AI資料中心中的應用。

隨著AI訓練和推論資料量的爆炸式增長，QLC SSD提供更高的密度、更低的功耗和更優的性能，成為滿足AI資料湖和大規模儲存需求的理想選擇。

2010-XX

華為儲存團隊成功開發業界首批企業級SSD。

2016-XX

華為發布首批Tier 1全快閃儲存。

2018-XX

華為發布全系列NVMe全快閃儲存。

2019-05

美國商務部將華為列入實體清單，限制其獲取美國技術。

2025-08

華為發布OceanStor Pacific 9926全快閃分散式儲存，搭載61.44/122.88TB高密大容量SSD，並於9月30日全球商用。

2026-05

華為在巴黎IDI Forum 2026活動上展示採用DoB技術的61.44TB和122.88TB SSD，並宣布已量產。

華為推出採用創新 DoB 封裝技術的 122TB SSD