英特爾14A勝18A，特斯拉Terafab採用
英特爾14A節點在成熟度、良率、性能優於同期18A。特斯拉確認Terafab AI晶片項目採用14A，马斯克讚揚合作。0.5版PDK已可用，0.9版即將推出以鎖定設計。
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NVIDIA Feynman 首發 1.6nm A16 GPU 核心
NVIDIA 在 GTC 大會上公布 Feynman GPU 架構路線圖，預計 2028 年推出，採用自訂 HBM 晶片與 3D 堆疊封裝。GPU 核心將首度使用台積電 1.6nm A16 製程，但產能不足而混用 3nm。
英特爾推出 18A 製程 288 核 Xeon 6+
英特爾發布 Xeon 6+ 處理器系列，代號 Clearwater Forest，為資料中心帶來 18A 製程首秀。擁有高達 288 個高效能核心，優先強調雲端與電信工作負載的能效與系統整合，而非極限主頻。
三星計劃2030年量產1奈米工藝
三星計劃2030年量產1奈米工藝，競爭加劇。晶圓代工業務2026後迎轉機，2奈米GAA製程良率達60%，接近70%目標。此舉強化三星半導體領先地位。
英特爾18A-P關鍵數據：功耗降18% 性能升9%
英特爾在2026 VLSI研討會透過T1.2論文公布18A-P製程節點關鍵數據。相較標準18A，同功耗下性能提升超過9%。同性能下功耗降低超過18%。
TSMC 預計 2029 年亞 1 奈米晶片
TSMC 將超越 2 奈米，目標 2029 年試產亞 1 奈米晶片。Apple 未來裝置可能受益於這些下一代半導體。此舉顯示晶片技術持續縮小。
1.4nm 推遲商用 Exynos 2800 續用 2nm
三星 1.4nm 商用延遲，Exynos 2800 續用 2nm GAA 工藝。此晶片為里程碑，為三星首款全自研 GPU 行動處理器。設計預計今年完成。
英特爾 18A 製程實測：M0 間距 36nm、GAA 間距 76nm
分析師對 Panther Lake 的拆解揭示 Intel 18A 製程細節，包括 HP 庫的 36nm M0 間距及邏輯的 76nm GAA 閘極間距。Power Via 背面供電僅限於邏輯晶片，因間距限制未用於 SRAM。未來 14A 節點預計以 BSCON 技術解決 SRAM 限制。