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傳 Samsung Exynos 2700 晶片考慮放棄 FOWLP 封裝

閱讀原文： 36氪
#semiconductor#hardware#supply-chain

晶片封裝直接影響行動 AI 的熱節流現象，了解 Samsung 的成本削減如何影響硬體效能。

30 秒速覽

有什麼變化

Exynos 2700 目前正為明年的旗艦手機進行開發。

為什麼重要

此舉可能會影響未來 Samsung 裝置上行動 AI 工作負載的散熱效率與功耗比。

下一步行動

密切關注 Samsung 的供應鏈公告，以了解晶片封裝變更如何影響行動 AI 硬體效能。

誰應關注：Developers & AI Engineers

關鍵要點

  • •Exynos 2700 目前正為明年的旗艦手機進行開發。
  • •FOWLP 技術自 Exynos 2400 起便已開始採用。
  • •高昂的製造成本是考慮放棄該技術的主要原因。

深度解析

背景與延伸：來自公開資料，非原文內容。引用 23 個來源。

增強重點摘要

  • •儘管FOWLP技術能改善散熱，但其高昂的製造成本和複雜性導致晶片良率降低，是Samsung考慮放棄該技術的主要原因之一。
  • •Samsung據稱正在考慮為Exynos 2700採用一種名為「Side-by-Side (SbS)」的替代封裝方案，該方案將處理器和DRAM晶片並排放置在同一基板上，並帶有散熱塊，旨在改善散熱。
  • •Exynos 2700預計將採用Samsung Foundry的第二代2奈米製程技術（SF2P）製造，相較於Exynos 2600使用的SF2節點，有望提供更高的效率和性能。
  • •Samsung的System LSI部門已於2025年末完成Exynos 2700的設計，並在2026年初生產了首批樣品，送交Samsung Mobile Experience (MX) 部門進行測試，最終開發預計在2026年上半年完成。
  • •有報導指出，關於Samsung放棄FOWLP的說法可能存在「別有用心」的動機，旨在損害Samsung的聲譽，暗示Samsung仍可能在Exynos 2700上保留FOWLP技術。

競品分析

製程節點
Samsung Exynos 2700 (預期)
Samsung Foundry 第二代2奈米 (SF2P)
Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5
TSMC 3奈米 (N3P)
MediaTek Dimensity 9400 (2025旗艦)
TSMC 第二代3奈米
封裝技術
Samsung Exynos 2700 (預期)
考慮放棄FOWLP，可能採用Side-by-Side (SbS) 搭配熱路徑塊 (HPB)
Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5
有機基板的interposer package-on-package (iPoP)
MediaTek Dimensity 9400 (2025旗艦)
未明確提及，但MediaTek與TSMC關係密切，可能採用先進封裝
記憶體
Samsung Exynos 2700 (預期)
支援LPDDR6 DRAM
Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5
16 GB LPDDR5X DRAM
MediaTek Dimensity 9400 (2025旗艦)
未明確提及，但旗艦晶片通常支援最新LPDDR標準
GPU
Samsung Exynos 2700 (預期)
AMD RDNA 5架構的Xclipse 970
Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5
未明確提及，但通常為Adreno系列
MediaTek Dimensity 9400 (2025旗艦)
12核心Arm Immortalis-G925 GPU
CPU核心
Samsung Exynos 2700 (預期)
10核心CPU，可能採用Arm下一代C2核心，最高頻率約2.88GHz (工程樣品)
Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5
首次採用Qualcomm Oryon CPU架構
MediaTek Dimensity 9400 (2025旗艦)
All Big Core設計，基於Arm v9.2 CPU架構，包含Cortex-X925核心 (超過3.62GHz)

技術深入

  • FOWLP (扇出型晶圓級封裝)：一種先進的半導體封裝技術，透過在晶片裸晶區域外部建立電氣連接，可在更小的佔位面積內實現更多的輸入/輸出引腳。它消除了傳統的封裝基板，減少了寄生效應並縮短了電路路徑，從而實現更快的訊號傳輸和更低的功耗，並能實現更薄、更小的外形尺寸。
  • FOWLP的優勢：在Exynos 2400上，FOWLP將單核運作時的散熱能力提高了23%，多核性能提升了8%。
  • FOWLP的挑戰：儘管有性能優勢，但FOWLP的製造成本較高，且由於複雜性增加，可能導致晶片良率下降。
  • Side-by-Side (SbS) 封裝：據傳是Exynos 2700的潛在替代方案，其設計理念是將處理器和DRAM晶片並排放置在同一基板上，並在兩者上都設置散熱塊，以擴大散熱面積並改善整體散熱效率。
  • Heat Path Block (HPB) 技術：Exynos 2600已引入HPB技術，將HPB放置在處理器上方，DRAM和儲存元件旁邊，採用PoP（Package-on-Package）佈局，以進一步改善熱管理。Exynos 2700預計將保留此系統。
  • FOWLP成本降低潛力：透過從晶圓級製造轉向面板級製造，FOWLP的製造成本有望降低30-40%，因為更大的面板可以容納更多的封裝。

前景展望基於引用來源的 AI 分析

Samsung可能會在未來的旗艦晶片中更頻繁地採用非FOWLP的先進封裝技術。
由於FOWLP的高成本和良率挑戰，Samsung尋求Side-by-Side (SbS) 等替代方案，表明其在成本效益與性能之間尋求平衡的策略轉變。
Exynos晶片在旗艦手機市場的競爭力將取決於其替代封裝技術的散熱效率。
FOWLP在散熱方面提供了顯著優勢，若放棄該技術，Exynos 2700必須證明SbS或其他熱管理方案能有效維持性能，以避免重蹈過熱問題的覆轍。
Samsung將加強其內部晶片製造和封裝技術的垂直整合，以降低對外部供應商的依賴並優化成本。
考慮放棄FOWLP以降低成本，同時開發SF2P 2奈米製程和SbS等內部解決方案，顯示Samsung正努力提升其晶片部門的盈利能力和自主性。

時間線

2009-07
Samsung宣布首款自主開發的SoC Hummingbird (後更名為Exynos 3 Single 3110)。
2011-01
Samsung推出Exynos 4210 SoC，首次搭載於Samsung Galaxy S II手機。
2022
Samsung為Google供應FOPLP封裝技術。
2024-01
Exynos 2400成為Samsung首款採用FOWLP封裝技術的智慧型手機SoC，搭載於Galaxy S24系列。
2025-12
Samsung System LSI部門完成Exynos 2700的設計。
2026-01
Samsung生產Exynos 2700的首批樣品，並送交Samsung Mobile Experience (MX) 部門進行測試。
閱讀原文： 36氪

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