記憶體晶片可在 700 攝氏度下運作

•南加州大學（USC）的研究團隊成功開發出一種憶阻器（memristor），能在高達 700°C 的溫度下穩定運作，遠超傳統電子元件的 200°C 熱極限，且其測試設備的上限即為 700°C，意味著實際潛力可能更高。
•該高溫記憶體晶片採用獨特的材料堆疊，包括鎢作為頂部電極、氧化鉿陶瓷作為中間層，以及石墨烯作為底部層，其中石墨烯的化學特性有助於防止高溫下金屬原子擴散導致的短路。
•開發此技術的新創公司 TetraMem 已經將其常溫 AI 推理晶片推向 300mm 晶圓生產，並獲得 SK 海力士和 CHIPS 法案的支持，顯示其在 AI 晶片商業化方面的進展。
•此憶阻器不僅能儲存數據，還能同時執行運算，特別適合 AI 工作負載中的矩陣乘法，有望大幅提高 AI 運算的速度和能效，並減少對傳統 GPU 的依賴。
•除了金星探測，這項高溫晶片技術的潛在應用還包括深地鑽探、核融合系統、噴射引擎內部監測、高溫工業環境（如冶金、玻璃製造）以及汽車引擎控制系統等。

元件類型： 該晶片是一種憶阻器（memristor），能夠同時儲存數據並執行運算，特別適用於 AI 工作負載中的矩陣乘法。
材料構成： 該憶阻器採用三明治結構，頂部電極為鎢（熔點約 3422°C），中間層為氧化鉿（hafnium oxide）陶瓷絕緣體，底部層為石墨烯。
高溫穩定機制： 石墨烯層的獨特化學特性使其與鎢原子難以結合，從而防止了在高溫下金屬原子擴散並導致短路，這是傳統矽基元件在高溫下失效的主要原因。
性能指標： 該裝置在 700°C 下能保持數據超過 50 小時而無需刷新，並承受了超過 10 億次的開關循環，運作電壓僅為 1.5 伏特，開關速度達數十奈秒。
製造工藝： 該技術透過先進的界面工程實現，並已證明 RRAM（憶阻器）可透過標準半導體製程製造，具有高密度和高精度。
極限溫度： 700°C 是測試設備的上限，而非該憶阻器本身的極限，暗示其可能在更高溫度下仍能運作。

深空探測任務將能搭載更先進的自主AI系統。

能夠在極端高溫下運作的記憶體晶片，將使探測器能在金星等惡劣環境中進行複雜的即時AI運算，減少對地球通訊的依賴。

工業自動化和能源領域將出現新的感測與控制應用。

高溫記憶體晶片將使AI系統能夠直接部署在熔爐、地熱井或核反應爐等高溫區域，實現更精確的監測和控制。

傳統矽基電子元件的應用範圍將被重新定義。

若此技術成功商業化，將推動半導體產業對非矽基材料和新型架構的投資，拓展電子元件的極限操作邊界。

2026-03-26

南加州大學團隊在《科學》期刊發表可在 700°C 運作的憶阻器研究成果。

2026-04-07

ScienceDaily 報導南加州大學團隊開發出耐 700°C 高溫記憶體晶片，並指出其潛力可能更高。

2026-04-12

Medium 報導 USC 700°C 記憶體晶片對工業 AI 系統的意義，強調其突破了 200°C 的熱極限。

2026-05-14

TetraMem 宣布其學術合作夥伴已展示 RRAM（憶阻器）設備能夠在高達 700°C 的溫度下可靠運作，並指出 TetraMem 已將其常溫 AI 推理晶片投入生產。

2026-03-26
南加州大學團隊在《科學》期刊發表可在 700°C 運作的憶阻器研究成果。
2026-04-07
ScienceDaily 報導南加州大學團隊開發出耐 700°C 高溫記憶體晶片，並指出其潛力可能更高。
2026-04-12
Medium 報導 USC 700°C 記憶體晶片對工業 AI 系統的意義，強調其突破了 200°C 的熱極限。
2026-05-14
TetraMem 宣布其學術合作夥伴已展示 RRAM（憶阻器）設備能夠在高達 700°C 的溫度下可靠運作，並指出 TetraMem 已將其常溫 AI 推理晶片投入生產。

30 秒速覽