CXMT Projects Massive Revenue Growth for H1 2026

•長鑫科技成立於2016年，是中國大陸唯一具備通用型DRAM大規模量產能力的整合元件製造廠（IDM）。
•公司於2025年12月向上交所提交科創板上市申請並獲受理，計劃募資295億人民幣，主要用於技術升級和產能擴張。
•長鑫科技在全球DRAM市場的份額從2025年第二季度的3.97%提升至2025年第四季度的7.67%，使其成為全球第四大DRAM製造商。
•2026年上半年營收和淨利潤的顯著增長，主要得益於自2025年下半年以來DRAM產品價格的快速上漲，這與全球算力需求持續增長和產品供不應求有關。
•長鑫科技已成功開發並量產DDR4、LPDDR4X、DDR5及LPDDR5/5X產品，其中DDR5最高速率達8000Mbps，LPDDR5X最高速率達10667Mbps，技術參數已逼近國際主流水準。

📊 競品分析▸ Show

特性/指標	長鑫科技 (CXMT)	三星電子 (Samsung)	SK 海力士 (SK Hynix)	美光科技 (Micron)
主要產品	DDR4, LPDDR4X, DDR5, LPDDR5/5X, 規劃HBM3	DDR4, LPDDR4X, DDR5, LPDDR5/5X, HBM3, HBM4	DDR4, LPDDR4X, DDR5, LPDDR5/5X, HBM3, HBM4	DDR4, LPDDR4X, DDR5, LPDDR5/5X, HBM3, HBM4
全球DRAM市佔率 (2025年Q4)	7.67%	>37% (估計)	>30% (估計)	>23% (估計)
DDR5/LPDDR5X 速率	DDR5: 最高8000Mbps; LPDDR5X: 最高10667Mbps	國際主流水平，部分產品已超越CXMT	國際主流水平，部分產品已超越CXMT	國際主流水平
DRAM技術節點	16nm (DDR5 G4代), 相當於三星D1z節點	D1z (15.8-16.2nm) 及更先進節點	D1z (15.8-16.2nm) 及更先進節點	D1z (15.8-16.2nm) 及更先進節點
HBM發展	計劃2026年量產HBM3，研發TSV技術	已量產HBM3，推進HBM4	已量產HBM3，推進HBM4	已量產HBM3，推進HBM4

產品組合： 長鑫科技提供DDR4、LPDDR4X、DDR5及LPDDR5/5X等DRAM產品，應用於移動終端、電腦、伺服器、虛擬實境和物聯網等領域。
DDR5規格：
- 最高速率可達8000Mbps。
- 單顆顆粒容量最高為24Gb。
- 提供UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM及TFF MRDIMM等七種模組形態，涵蓋伺服器、工作站及個人電腦應用。
LPDDR5X規格：
- 最高速率可達10667Mbps。
- 單顆容量最高16Gb，提供12GB至32GB多種容量組合。
製造工藝：
- 長鑫科技的DDR5產品採用16nm DRAM節點（G4 DRAM代），單元尺寸為0.0020 µm²。
- 該16nm節點相較於其前一代G3（18.0nm）DRAM節點縮小了20%，並被認為與三星的D1z節點（15.8nm至16.2nm）相當。
- 公司初期採用18.5奈米規格設計，成功避開美國對中國DRAM產業採用18奈米以下製程的限制。
HBM技術發展：
- 長鑫科技正積極佈局高頻寬記憶體（HBM），計劃於2026年量產第四代HBM（HBM3）。
- 公司已開始研發用於HBM的矽穿孔（TSV）技術。
- 中國半導體設備產業正著手建立HBM製造所需的設備生態系統，特別是在蝕刻和封裝等關鍵製程。

長鑫科技的快速增長將加劇全球DRAM市場的競爭，並可能影響國際主要廠商的定價策略。

隨著長鑫科技市場份額的提升及其DDR5/LPDDR5X產品性能逼近國際水平，其在中國本土市場的定價優勢將對三星、SK海力士和美光構成壓力。

長鑫科技的IPO將加速中國半導體產業的自主化進程，尤其是在DRAM製造設備國產化方面。

募集資金將用於技術升級和產能擴張，這將推動設備國產化率的提升，並帶動整個中國集成電路產業鏈的協同發展。

長鑫科技在HBM領域的佈局將為中國AI產業提供更安全的記憶體供應鏈。

隨著長鑫科技計劃在2026年量產HBM3並研發TSV技術，將有助於減少中國對進口HBM的依賴，尤其是在地緣政治緊張和出口管制背景下。

2016-06

長鑫科技（前身為合肥睿力集成電路有限公司）成立。

2019-XX

長鑫科技推出首款中國本土設計與生產的DDR4產品。

2023-XX

長鑫存儲實現10奈米級DRAM量產，成為中國首家、全球第四家跨入該門檻的企業。

2024-03

完成108億人民幣融資，投前估值達1399.82億人民幣。

2025-01

TechInsights拆解報告顯示長鑫DDR5採用16nm技術節點。

2025-11

長鑫存儲正式發布DDR5和LPDDR5X兩大產品系列，速率逼近國際大廠。

2025-12

長鑫科技集團股份有限公司向上交所提交科創板上市申請並獲受理，計劃募資295億人民幣。

2026-02

美國國防部將長鑫科技從中國軍事企業清單中移除。

長鑫科技預計 2026 上半年營收大幅增長