SK Hynix to Double Memory Capacity by 2030

•SK Hynix 預計 2026 年的資本支出將超過 2025 年的約 200 億美元（30.2 兆韓元），並於 2026 年在紐約證券交易所申請美國存託憑證 (ADR)，以擴大資本獲取管道。
•該公司目前在全球 HBM 市場中佔有 58% 的份額（截至 2026 年第一季度），其 2026 年的 HBM 產能已全數售罄，凸顯了市場對高頻寬記憶體 (HBM) 的極高需求。
•SK Hynix 計劃在 2030 年前建立一座由 AI 驅動的自主晶圓廠，該廠將整合人工智慧、機器人技術和數位雙生系統，以優化半導體生產流程。
•為強化其在 HBM 領域的領先地位，SK Hynix 正深化與台灣半導體供應鏈的合作，包括與台積電 (TSMC) 建立戰略聯盟，共同開發客製化 HBM 解決方案和基礎晶片。
•AI 驅動的記憶體需求已導致傳統 DRAM 供應緊縮，因為記憶體供應商將晶圓產能轉移至 HBM 和先進 DDR5 產品，導致 2026 年第二季度 DRAM 合約價格預計將大幅上漲。

📊 競品分析▸ Show

特性/公司	SK Hynix	Samsung Electronics	Micron Technology
2026年HBM市場份額 (Q1)	58%	21%	21%
2026年資本支出	超過 200 億美元 (高於 2025 年的 30.2 兆韓元)	約 200 億美元 (HBM 產能預計增長 50%)	超過 250 億美元 (2026 財年)
HBM4E 樣品出貨	計劃於 2026 年下半年出貨	已於 2026 年 5 月出貨	2026 年 HBM 產能已全數售罄，正關注 HBM4E 認證時程
HBM4 量產目標	2026 年	2026 年	2026-2027 年
HBM4 基礎晶片合作	與台積電合作開發客製化基礎晶片	整合記憶體與晶圓代工業務	專注於混合鍵合優化

HBM (高頻寬記憶體) 基礎架構：HBM 是一種 3D 堆疊同步動態隨機存取記憶體 (SDRAM) 介面，透過矽穿孔 (TSV) 技術實現垂直互連，並採用寬 I/O 介面（1024 位元及以上）和先進封裝技術（如中介層、混合鍵合）來最大化資料吞吐量並最小化功耗和佔用空間。
HBM4 技術演進：HBM4 代表著架構上的重大演進，其介面寬度從 HBM3E 的 1024 位元倍增至 2048 位元，並擁有 32 個獨立通道。這使得每個堆疊的頻寬可達 2.0 TB/s，在先進配置中甚至可達 3.3 TB/s。
HBM4 容量與功耗：HBM4 每個堆疊的容量可達 64GB（透過 16-hi 堆疊），並引入多電壓操作（約 0.7V–1.05V），以提高能源效率，這對於超大規模 AI 叢集和能源受限的資料中心至關重要。
客製化 HBM 解決方案：SK Hynix 正開發「客製化 HBM」，將 HBM 控制器和其他 IP 移至 HBM 基礎晶片 (Base Die)，這使得 GPU/ASIC 製造商能夠增加運算矽面積並降低介面功耗。
基礎晶片製程：從 HBM4 開始，基礎晶片將轉向邏輯製程（12 奈米或 5 奈米），並整合邏輯功能，這要求硬體架構師重新思考矽中介層設計。
先進封裝技術：SK Hynix 採用大規模回流模塑底部填充 (MR-MUF) 封裝技術，該技術使用導熱性更高的液態環氧樹脂模塑化合物，使其能夠可靠地生產 12-hi HBM3E 模組，克服了熱管理和物理挑戰。

記憶體市場將從傳統的週期性定價轉向需求驅動、預先分配產能的模式。

AI 需求的持續增長和新晶圓廠漫長的建設週期，正迫使超大規模資料中心簽訂長期合約並預先分配產能，從而賦予記憶體生產商更大的定價權。

SK Hynix 將鞏固其在 HBM 市場的領導地位，特別是在下一代 AI 平台方面。

其積極的產能擴張、與台積電在 HBM4 上的早期合作，以及作為 Nvidia 主要 HBM 供應商的現有強大關係，使其處於有利地位。

AI 產業將面臨更廣泛的基礎設施瓶頸，不僅限於記憶體和 GPU。

SK 集團會長崔泰源指出，電力、水、設備和土地等所有要素都可能變得稀缺，進而影響整體 AI 基礎設施的增長。

2013

SK Hynix 生產出首款 HBM 記憶體晶片。

2014

SK Hynix 與 AMD 共同開發出全球首款 TSV HBM 產品。

2022-06

SK Hynix 開始量產業界首款 HBM3 記憶體。

2023-05

SK Hynix 推出 HBM3E 記憶體。

2026-02

SK Hynix 批准對龍仁半導體聚落的第一座晶圓廠追加約 150 億美元投資。

2026-03

SK Hynix 在 Nvidia GTC 2026 大會上宣布計畫在 2030 年前建立一座 AI 驅動的自主晶圓廠。

SK Hynix 計畫在 2030 年前將記憶體產能翻倍