Samsung Labor Strike Risks Global AI Supply Chain

•三星電子工會於2026年5月發起為期18天的大規模罷工，涉及約4.8萬名員工，主要訴求是薪資待遇和獎金分配不公，尤其與競爭對手SK海力士相比，員工對AI紅利分配的相對剝奪感加劇。
•儘管三星在2026年第一季度重新奪回全球DRAM市場的領導地位，市佔率達40.5%，但在2025年第二季度，其HBM市場份額曾一度下滑至17%，落後於SK海力士和美光。
•HBM的生產涉及極高的技術難度，包括將DRAM晶片研磨至頭髮一半厚度、精準的晶圓堆疊以及矽穿孔（TSV）技術，任何微小失誤都可能導致整個封裝報廢，使得良率成為關鍵挑戰。
•為確保HBM供應，科技巨頭正積極與記憶體製造商洽談，甚至願意直接投資產線和設備，預示著AI時代供應鏈模式可能從傳統的晶片廠擴產轉向「共同投資、預鎖產能」的新型合作架構。

📊 競品分析▸ Show

特性/公司	三星 (Samsung)	SK海力士 (SK Hynix)	美光 (Micron)
2026年Q1 DRAM市場份額	40.5% (全球第一)	29.6% (全球第二)	19.9% (全球第三)
2025年Q2 HBM市場份額	17% (全球第三)	62% (全球第一)	21% (全球第二)
HBM3E量產進度	已量產	已量產	已量產
HBM4量產進度	預計2026年量產，部分產品已出貨樣品	已完成開發並建立量產體系，預計2026年量產	2026年量產爬坡順利，HBM4E預計2027年量產
HBM4介面寬度	2048-bit	2048-bit	2048-bit
HBM4頻寬 (每堆疊)	宣稱最高3.3 TB/s	宣稱最高3.3 TB/s	宣稱高於2.8 TB/s

HBM架構核心：HBM（高頻寬記憶體）採用3D堆疊架構，透過矽穿孔（Through-Silicon Vias, TSVs）垂直連接多個DRAM晶粒，實現超高頻寬和低功耗，解決傳統平面記憶體設計的頻寬瓶頸。
HBM4的關鍵升級：HBM4相較於HBM3e，最核心的改變是將對外介面從1024-bit加寬至2048-bit，使資料通道翻倍，目標頻寬達到每堆疊2.0 TB/s以上，部分廠商產品可達2.8至3.3 TB/s。
邏輯基底晶片 (Base Die)：HBM4的另一大重點是底部負責溝通的基底晶片改用邏輯製程（如12奈米或5奈米），這使得HBM更像一個可客製化的平台，提升整體效能與彈性。
製造挑戰：HBM製造面臨極高難度，包括將DRAM晶片研磨至僅人類頭髮一半的厚度、精準的晶圓堆疊對齊、以及在矽晶圓上鑽數千個僅略大於細菌尺寸的矽穿孔。這些複雜工藝導致HBM生產良率遠低於傳統DRAM，且散熱問題在多層堆疊中也日益嚴峻。
先進封裝技術：HBM與GPU等異質晶片的整合高度依賴先進封裝技術，例如台積電的CoWoS技術，它負責將HBM與處理器透過矽中介層連接，是AI晶片效能的關鍵。

HBM供應緊張將持續至2027年

由於AI基礎設施需求持續井噴，HBM產能擴張受限於建設週期，導致2026年HBM供應已幾乎全數售罄，預計供應緊張狀況將至少持續到2027年。

記憶體產業的議價能力將進一步向原廠傾斜

在AI需求推動下，HBM及通用型DRAM市場已進入賣方市場，DRAM合約價大幅上漲，且設備供應商也開始要求漲價，顯示記憶體原廠在供應鏈中的議價能力顯著提升。

三星勞資關係將面臨長期挑戰

三星電子工會的崛起及其大規模罷工行動，反映出韓國勞工意識的成熟和對利潤分配公平性的更高要求，這可能導致三星未來面臨更頻繁、更具影響力的勞資談判與衝突。

2013-00

AMD與SK海力士共同開發出全球首款HBM技術。

2016-00

NVIDIA與三星合作，採用台積電CoWoS技術及三星HBM2。

2023-00

三星開始量產HBM3。

2024-07

三星電子最大工會（全國三星電子工會）首次發起為期三天的罷工。

2024-00

三星開始量產HBM3E。

2025-09

Counterpoint Research報告顯示，三星在2025年第二季度HBM市場份額降至17%，位居第三。

2026-02

三星憑藉HBM4銷售增長及DRAM漲價，在2025年第四季度重奪全球DRAM市場領導地位。

2026-05

三星電子工會因薪資談判破裂，宣布自5月21日起發起為期18天的大規模罷工。

三星罷工危機威脅全球 AI 供應鏈