Kioxia Becomes Japan’s Most Valuable Firm Amid AI Boom

•Kioxia的市值飆升歸因於AI推論需求進入「超級週期」，公司預計2026財年第一季度（4月至6月）淨利潤將增長48倍，並計劃到2028財年將數據中心和企業部門的收入佔比提高到60%以上。
•該公司股價在2026年迄今已飆升超過660%，使其成為MSCI全球指數中表現最佳的股票之一。
•繼2024年12月在東京證券交易所首次公開募股後，Kioxia正準備在美國上市美國存託憑證（ADS），以擴大其投資者基礎。
•Kioxia正積極開發下一代AI記憶體解決方案，包括一個5TB NAND記憶體模組原型，其傳輸速度達64 GB/s，接近HBM的性能，並計劃在2027年透過第三代XL-FLASH和PCIe 7.0實現1億IOPS，以緩解GPU-AI應用中HBM的容量限制。

📊 競品分析▸ Show

公司	主要產品/技術	2026年第一季度NAND市佔率 (約)	技術焦點
Kioxia (鎧俠)	BiCS FLASH 3D NAND (218-332層), XL-FLASH SCM, 高IOPS SSD	前三至五名主要參與者之一	高密度3D NAND、AI數據中心儲存解決方案、HBM補充技術
Samsung Electronics (三星電子)	V-NAND (Vertical NAND)	29%	領先的V-NAND架構、高性能與大容量
SK Hynix (SK海力士)	NAND Flash, HBM	18%	HBM領導者、NAND市場快速增長 (收購Intel NAND業務)
Western Digital (西部數據)	3D NAND (與Kioxia合資)	15% (2025年第一季度)	消費級與企業級NAND產品
Micron Technology (美光科技)	3D NAND	11% (2025年第一季度)	創新儲存介面、企業級產品
YMTC (長江存儲)	Xtacking 3D NAND	13%	快速增長，尤其受中國國內需求和價格上漲推動

Kioxia的BiCS FLASH™ 3D NAND技術採用垂直堆疊記憶體單元，以顯著提高儲存密度，克服了2D（平面）快閃記憶體的限制。
第8代BiCS FLASH™具有218層和CMOS直接鍵合到陣列（CBA）晶圓鍵合技術，這是一種架構創新，可滿足先進智慧型手機、PC、SSD和數據中心等數據密集型應用程式的需求。
CBA技術將記憶體單元陣列和CMOS電路在獨立晶圓上處理，然後以奈米級精度鍵合，從而提高密度、性能和功耗效率。
第10代BiCS FLASH™技術將記憶體層數增加到332層，並採用Toggle DDR6.0介面標準，實現高達4.8 Gb/s的NAND介面速度，比第8代技術快33%。
Kioxia正在開發XL-FLASH™儲存級記憶體（SCM），旨在實現超高IOPS SSD，目標是到2026年透過第二代XL-FLASH和PCIe 6.0達到1000萬IOPS，並在2027年透過第三代XL-FLASH和PCIe 7.0達到1億IOPS，以應對AI應用中HBM容量的壓力。
公司還展示了5TB NAND記憶體模組原型，傳輸速度達64 GB/s，旨在結合傳統SSD的優勢與HBM的高速，適用於邊緣運算和AI等應用。

Kioxia將鞏固其在日本科技產業中的領導地位。

其在AI記憶體市場的強勁表現和戰略投資將吸引更多資本和人才，進一步推動其增長。

NAND Flash市場將經歷持續的價格上漲和供應緊張。

AI數據中心對高容量儲存的「永不滿足」的需求將繼續超過供應，導致市場供需平衡持續緊張。

Kioxia將透過其高IOPS SSD解決方案在AI儲存領域扮演更關鍵的角色。

這些解決方案旨在彌補HBM的容量限制，並與GPU直接連接，滿足AI工作負載對極致性能和容量的需求。

1987

Toshiba發明NAND快閃記憶體。

2017-04

Toshiba Memory從Toshiba Corporation分拆。

2019-10-01

Toshiba Memory更名為Kioxia Holdings Corporation。

2024-12

Kioxia在東京證券交易所上市。

2025-02

Kioxia與Sandisk發布第10代3D NAND快閃記憶體技術，具備332層和4.8Gb/s介面速度。

2026-06

Kioxia市值短暫超越Toyota，成為日本最有價值公司。

在 AI 熱潮下，Kioxia 成為日本最有價值公司