CXMT Receives Approval for STAR Market IPO

•長鑫科技的IPO募資規模預計達人民幣295億元，位列科創板歷史第二大IPO，僅次於中芯國際，且有望創下科創板募資最高紀錄，主要用於DRAM技術升級、產線改造及前瞻技術研發項目。
•長鑫科技已成功開發並量產DDR4、LPDDR4X、DDR5及LPDDR5/5X等多款DRAM產品，並於2025年第二季在全球DRAM銷售額的市場份額已增至3.97%，目標至2026年將全球市佔率提升至15%。
•長鑫科技在合肥與北京擁有三座12吋晶圓廠，目標至2026年將月產能提升至約30萬片晶圓，同時正於上海興建高頻寬記憶體（HBM）封裝廠，目標在2026年底投產並計劃量產第四代HBM3晶片。
•長鑫科技曾於2025年初被列入美國國防部「中國軍事企業清單」（1260H清單），後於2026年2月被移除，但在2026年6月再次被列入，這反映了美中科技競爭的持續升溫。
•長鑫科技的DDR5產品最高速率可達8000 Mbps，單顆容量24Gb，性能已直逼國際一線大廠，並採用最新16nm（D1z）製程，其LPDDR5X產品速率更高達10667MT/s。

📊 競品分析▸ Show

目前全球DRAM市場主要由三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）和美光科技（Micron）三大巨頭主導，它們合計佔據DRAM營收的90%以上。長鑫科技作為中國大陸唯一具備通用型DRAM大規模量產能力的整合元件製造廠（IDM），正積極追趕。

特性/公司	長鑫科技 (CXMT)	三星 (Samsung)	SK海力士 (SK Hynix)	美光科技 (Micron)
主要產品	DDR4, LPDDR4X, DDR5, LPDDR5/5X, HBM3 (規劃中)	DDR5, LPDDR5X, HBM3, HBM3e, NAND Flash	DDR5, LPDDR5X, HBM3, HBM3e, NAND Flash	DDR5, LPDDR5X, HBM3, HBM3e, NAND Flash
DRAM製程	16nm (D1z)	1b (第五代10nm), 1y (第六代10nm)	1b (第五代10nm), 1y (第六代10nm)	1b (第五代10nm), 1y (第六代10nm)
DDR5速率	最高8000 Mbps	7200 Mbps (官網顯示)	8000 Mbps (A-die)	尚未明確具體最高速率
LPDDR5X速率	最高10667 Mbps	領先水平	領先水平	領先水平
全球DRAM市佔率	3.97% (2025年Q2), 目標15% (2026年)	領先地位 (約40-45%)	第二位 (約25-30%)	第三位 (約20-25%)
產能 (月產)	目標30萬片 (2026年)	數十萬片 (未公開具體數字)	數十萬片 (未公開具體數字)	數十萬片 (未公開具體數字)
HBM進展	規劃2026年底量產HBM3	HBM3、HBM3e已量產	HBM3、HBM3e已量產	HBM3、HBM3e已量產
市場策略	專注主流DRAM，供應量充沛，合作條件彈性，優先中國內需市場	優先高階HBM/DDR5，全球市場主導，技術領先	優先高階HBM/DDR5，全球市場主導，技術領先	優先高階HBM/DDR5，全球市場主導，技術領先
價格策略	與國際三大廠報價大致持平，非低價競爭	市場主導者，價格策略影響全球	市場主導者，價格策略影響全球	市場主導者，價格策略影響全球

製程技術： 長鑫科技已實現從第一代工藝技術平台到第四代工藝技術平台的量產，並採用最新16nm（D1z）製程，追趕國際一線大廠。
DRAM產品線： 已成功開發並量產DDR4、LPDDR4X、DDR5及LPDDR5/5X等多款DRAM產品。
DDR5性能： 最新DDR5顆粒最高速率可達8000 Mbps，單顆容量覆蓋16Gb/24Gb，功耗較DDR4降低20%。產品加入片內錯誤檢查與自糾錯機制，提升穩定性與數據完整性。
LPDDR5/5X性能： LPDDR5X產品最高速率達10667 Mbps，功耗降低30%，已進入主流手機廠商供應鏈。
HBM佈局： 正於上海興建HBM封裝廠，目標在2026年底投產，並計劃開始量產第四代HBM3晶片，以切入高階記憶體市場。
產能擴張： 在合肥與北京擁有三座12吋晶圓廠，目標至2026年將月產能提升至約30萬片晶圓。

長鑫科技的IPO將顯著加速中國在DRAM領域的自主化進程。

此次IPO募集的巨額資金將主要用於DRAM技術升級、產線擴建及前瞻技術研發，有助於長鑫科技縮小與國際龍頭的技術代差，並提升中國在半導體供應鏈中的自給自足能力。

長鑫科技在全球DRAM市場的份額將持續增長，對現有市場格局構成挑戰。

憑藉其積極的產能擴張計劃（目標2026年市佔率達15%）和DDR5、HBM等先進產品的量產，長鑫科技有望在全球DRAM市場中搶下更多市場份額，尤其是在傳統DRAM供應緊張的背景下。

長鑫科技的上市將提振中國半導體產業鏈的整體信心和投資。

作為中國DRAM領域的絕對龍頭，長鑫科技的成功上市不僅為自身發展提供資本，也將完善國內半導體存儲產業鏈的融資體系，並帶動上游國產半導體設備與材料供應商的訂單增長。

2016

長鑫存儲（合肥）DRAM基地一期項目誕生，公司成立，前身為合肥睿力積體電路有限公司。

2017-03

長鑫存儲（合肥）基地一期項目開工建設。

2019-09

8Gb DDR4產品亮相世界製造業大會，並於同年11月獲得首筆訂單，開始銷售。

2020-06

長鑫（北京）DRAM項目一期啟動。

2025-12

長鑫科技集團股份有限公司正式向上交所提交科創板上市申請並獲受理，計劃募集資金人民幣295億元。

2026-02

美國國防部將長鑫科技從「中國軍事企業清單」中移除（後於同年6月再次列入）。

2026-05

長鑫科技科創板IPO申請獲得上市委審議會議通過。

2026-06-12

中國證監會正式同意長鑫科技於科創板首次公開發行股票的註冊申請。

長鑫科技獲准於科創板IPO上市