
SK Hynix 展示 HBM4E 48GB 12 層堆疊記憶體
SK Hynix 於 2026 年台北國際電腦展展示下一代 HBM4E 記憶體。這款 48GB 12 層堆疊記憶體旨在滿足未來 AI 資料中心 GPU 平台對高頻寬與大容量的極致需求。
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SK Hynix 於 2026 年台北國際電腦展展示下一代 HBM4E 記憶體。這款 48GB 12 層堆疊記憶體旨在滿足未來 AI 資料中心 GPU 平台對高頻寬與大容量的極致需求。

三家記憶體晶片巨頭聯手入股 Anthropic,標誌著 AI 供應鏈的戰略性轉變。此舉凸顯了硬體基礎設施與 AI 模型開發之間日益深化的整合。
韓國頂尖企業第一季營業利潤達1040億美元,其中超過60%由半導體巨頭三星與SK海力士貢獻。這突顯了全球AI驅動的記憶體晶片需求所帶來的巨大經濟效益。
韓國股市九個月新增100家市值超1兆韓元企業,先前十年才100家,三星/SK海力士HBM供AI GPU功不可沒。治理改革加記憶體短缺形成估值飛輪。KOSDAQ湧現137家AI/生技巨頭。

儲存、代工與設備龍頭企業集體殺入混合鍵合市場。此先進封裝技術即將應用於HBM記憶體,預示重大突破即將來臨。

廣發證券分析師蒲得宇報告指出,英特爾 EMIB 封裝技術良率達 90%,與 FCBGA 相當,同時提供更高互連密度,準備好用於 AI 資料中心晶片。EMIB-T 版本支援大規模 HBM 整合。英特爾計劃至 2028 年將 EMIB-T 擴展至超過 12x Reticle。
韓國半導體企業SK海力士向美國證交會提交申請,計劃最早今年在美股上市。公司目標在2026年前推進美國存托憑證(ADR)上市,募資規模最高達15萬億韓元(約100億美元)。發行規模、方式及時間表尚未最終確定。

NVIDIA 在 GTC 大會上公布 Feynman GPU 架構路線圖,預計 2028 年推出,採用自訂 HBM 晶片與 3D 堆疊封裝。GPU 核心將首度使用台積電 1.6nm A16 製程,但產能不足而混用 3nm。

三星電子計劃在2026年投資超過110兆韓元(733億美元)於資本支出與研究。此支出將擴大記憶體晶片產能,並探索AI領域。

三星電子與AMD簽署諒解備忘錄,深化AI基礎設施記憶體合作。三星將為AMD即將推出的Instinct MI455X AI加速器供應下一代HBM4,並為第六代EPYC處理器提供優化DDR5。雙方亦探討晶圓代工合作。