SMIC Q1 2026: Mature Process Demand Drives Recovery

•中芯國際2026年第一季度的淨利潤為1.97億美元，同比增長5%，銷售晶圓數量按年增長9.5%至250.91萬片，其中8吋晶圓收入佔比增至23.6%，12吋晶圓佔比為76.4%。
•公司第一季度的產能利用率達到93.1%，較去年同期提升3.5個百分點，顯示其產能維持在相對高位，並預計第二季度總產能將環比增長2.6%至2695千片。
•儘管面臨設備限制，中芯國際已透過深紫外光（DUV）多重曝光技術實現了5奈米（N+3）製程的量產，並用於華為麒麟9030 SoC的生產，但此技術路線面臨良率挑戰和高昂成本。
•中芯國際預計2026年全年資本支出將維持在約81億美元的較大規模，與2025年大致持平，其中大部分支出預計在下半年進行，這導致高額折舊費用，影響了淨利潤表現。
•第一季度營收按應用分類，消費電子仍是最大收入來源，佔比達46.2%，工業與汽車領域收入佔比持續提升至14%，而智能手機業務收入佔比則下降至18.9%。

📊 競品分析▸ Show

公司名稱	2025年第四季市佔率 (全球晶圓代工)	主要製程焦點	2026年第一季營收 (美元)	2026年第一季毛利率
台積電 (TSMC)	70.4%	先進製程 (5nm以下)	N/A (未發布)	N/A (未發布)
三星 (Samsung Foundry)	7.1%	先進製程 (2nm)	N/A (未發布)	N/A (未發布)
中芯國際 (SMIC)	5.2%	成熟製程 (8吋、12吋) 及 DUV多重曝光7/5nm	25.05億	20.1%
聯電 (UMC)	4.7%	成熟製程 (8吋、12吋)	N/A (未發布)	N/A (未發布)
華虹半導體 (Hua Hong)	2.6% (華虹集團)	特色工藝 (功率半導體、MCU、獨立式閃存、BCD)	6.609億	13.0%

多重曝光技術 (Multi-patterning Technology): 中芯國際在無法取得極紫外光 (EUV) 設備的情況下，利用深紫外光 (DUV) 曝光機結合多重曝光技術來推進先進製程。這包括自對準雙重曝光 (SADP) 和自對準四重曝光 (SAQP) 等方法，以達到7奈米甚至5奈米 (N+3) 等效的解析度。
DUV製程限制與挑戰: DUV浸潤式曝光機的最小波長為193奈米，相較於EUV的13.5奈米，在生產先進製程時需要更多的曝光輪次，導致製程步驟大幅增加，進而推高生產成本並影響良率。
功率半導體製程: 成熟製程主要用於製造功率半導體元件，這些元件在高功率應用中（如電力轉換、能源管理、電機控制）扮演核心角色。8吋晶圓因其成熟的工藝和較低的製造成本，在功率元件、電源管理IC、MCU等產品中仍有穩定需求。
第三代半導體材料: 功率半導體領域除了傳統矽基材料外，碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等第三代半導體材料也日益重要。SiC主要應用於1000V-1200V以上的高壓市場，而GaN則主要應用於80V-650V的中低壓市場，兩者皆有助於提高能源轉換效率。

中芯國際將持續受益於中國半導體產業的本土化趨勢。

公司第一季度來自中國大陸地區的收入佔比已達88.9%，顯示本土客戶需求是其核心支撐，且在美國制裁背景下，國產替代效應將持續。

美國的出口管制措施可能對中芯國際的先進製程發展構成長期挑戰。

美國國會提出的MATCH法案旨在正式化並加速對浸潤式DUV光刻設備的出口管制，這將直接影響中芯國際7奈米以下先進邏輯晶圓廠的產能擴張。

中芯國際將在成熟製程市場扮演更關鍵的角色。

隨著AI資料中心對矽光子等高速傳輸晶片和高效能電源管理晶片的需求增加，成熟製程的產能利用率預計將維持在80%以上，中國廠商在國產替代政策下產能利用率將逾90%，中芯國際創辦人張汝京也強調成熟製程佔市場80%以上需求。

2024-09

中芯國際被報導利用DUV多重曝光技術生產7奈米晶片，技術效仿台積電第一代7奈米製程。

2024-12

中芯國際在成熟製程市場的晶圓代工份額躋身全球前三。

2025-02-10

中芯國際發布2025年第四季度財報，全年銷售收入達93.27億美元，創歷史新高，全年資本開支達81億美元。

2025-09

中芯國際開始測試由上海新創公司宇量昇科技生產的國產DUV曝光機。

2025-12-12

中芯國際正式達成5奈米（N+3）節點製程的量產，並用於華為麒麟9030 SoC的生產，完全依賴DUV曝光技術。

2026-05-14

中芯國際發布2026年第一季度財報，營收25億美元，毛利率20.1%，預期第二季營收環比成長14-16%。

中芯國際 2026 年第一季：成熟製程需求帶動復甦