SK Hynix eyes Nasdaq listing for AI-driven valuation

•SK Hynix 已向美國證券交易委員會 (SEC) 提交了美國存託憑證 (ADR) 的機密申請，預計數週內將進行審查，此舉旨在擴大其投資者基礎並直接利用美國市場對AI股票的熱情。
•自2026年初以來，SK Hynix 的股價已飆升約230%至250%，其市值在五月首次突破1兆美元，成為繼台積電和三星之後亞洲第三家市值達兆美元的公司，凸顯了其在AI記憶體領域的主導地位。
•SK Hynix 計劃到2030年將其DRAM晶圓輸入產能翻倍至每月一百萬片，其中韓國的龍仁半導體製造集群和中國無錫的工廠將扮演關鍵角色，以應對AI驅動的記憶體需求激增。
•SK Hynix 透過與Nvidia建立深厚合作關係並與台積電結盟，將高頻寬記憶體 (HBM) 從商品定價模式轉變為客製化平台產品，使其在AI基礎設施中佔據核心地位，並預計半導體供應緊張將持續到2030年。

📊 競品分析▸ Show

特性/公司	SK Hynix	Samsung Electronics	Micron Technology
HBM 市場份額 (2026年第一季度)	58%	21%	21%
HBM3E 狀態	已量產，領先市場，為Nvidia主要供應商	積極提升產能，追趕HBM3E驗證	已出貨，並與多家AI晶片供應商達成供貨協議
HBM4 狀態	2025年3月供應12層HBM4樣品，預計2026年量產	積極開發，目標2026年全面進入Nvidia供應鏈	已出貨HBM4樣品，速度高達11 Gbps
HBM3E 頻寬/容量 (典型)	高達 1.18 TB/s，36GB (12-Hi堆疊)	積極提升中，具體公開數據較少	9.6 Gbit/s/pin，採用1β DRAM製程

HBM3E (高頻寬記憶體3增強版)
- 資料傳輸速度與頻寬： SK Hynix 的 HBM3E 典型速度為 9.8 Gbps/pin，每堆疊頻寬高達 1.18 TB/s。
- 容量： SK Hynix 已推出 36GB 容量的 12 層堆疊 HBM3E 模組。
- 技術： 採用先進的矽穿孔 (TSV) 堆疊技術，並透過先進的 MR-MUF 技術增強散熱性能，比 HBM3 提升約 10%。
- 介面： 1024 位元介面，包含 16 個獨立通道。
- 量產： SK Hynix 於 2024 年 3 月開始量產 HBM3E，並於 2024 年 9 月量產 12 層 HBM3E。
HBM4 (高頻寬記憶體4)
- 預期上市時間： 預計於 2025-2026 年推出。
- 頻寬： 預計每堆疊頻寬將超過 2 TB/s，在先進配置中可達 3.3 TB/s。
- 介面： 介面寬度將倍增至 2048 位元，包含 32 個通道。
- 容量： 預計每堆疊容量可達 48GB。
- 技術： 將採用新的基礎邏輯晶片架構。
- 開發進度： SK Hynix 已於 2025 年 3 月供應 12 層 HBM4 樣品。

SK Hynix 將鞏固其在AI記憶體市場的領導地位。

透過那斯達克上市獲得的資金將加速其HBM技術的研發與產能擴張，特別是HBM4的發展，進一步鞏固其與Nvidia等主要客戶的合作關係。

AI記憶體市場將持續經歷「超級週期」。

HBM需求預計將持續超越供應至少到2026年甚至2028年，導致DRAM價格上漲，並使HBM供應商獲得顯著的定價權。

記憶體公司在AI基礎設施供應鏈中的戰略重要性將提升。

HBM不再是商品化產品，而是透過長期合作工程協議和早期架構協調來定義系統能力和供應可及性，使記憶體供應商在平台設計中扮演更核心的角色。

2013

SK Hynix 生產出全球首款 HBM 記憶體晶片。

2022-01

JEDEC 正式宣布 HBM3 標準。

2022-06

SK Hynix 開始量產業界首款 HBM3 記憶體，用於 Nvidia H100 GPU。

2024-03

SK Hynix 宣布量產 HBM3E 記憶體。

2025-03

SK Hynix 成為全球首家供應 12 層 HBM4 樣品的公司。

2026-05

SK Hynix 市值首次突破 1 兆美元。

SK Hynix 擬赴美上市納斯達克，以獲取 AI 概念股估值