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SanDisk 發表第 10 代 332 層 1Tb 3D NAND 快閃記憶體
💡更高密度的 NAND 對於擴展本地 AI 模型儲存及提升 AI 伺服器資料傳輸效能至關重要。
⚡ 30-Second TL;DR
有什麼變化
採用全新第 10 代 BiCS10 架構，堆疊層數達 332 層
為什麼重要
提升 NAND 儲存密度對 AI 基礎設施至關重要，能為邊緣運算與伺服器環境提供更大的本地資料集儲存空間與更快的模型載入速度。
下一步行動
在規劃本地 LLM 推論伺服器的硬體規格時，請評估高密度 NAND 的技術藍圖。
誰應關注：Developers & AI Engineers
關鍵要點
- •採用全新第 10 代 BiCS10 架構，堆疊層數達 332 層
- •單顆 TLC 晶片容量達 1Tb (128GB)
- •針對高密度、高能效的企業級儲存需求進行優化
🧠 深度解析
本篇為 AI 生成分析，非原文內容。
🔑 增強重點摘要
- •BiCS10 架構是由 SanDisk 的母公司 Western Digital (WD) 與 Kioxia (鎧俠) 共同開發的技術成果。
- •該技術採用了先進的 CMOS 直接鍵合 (CBA) 技術，將 CMOS 晶圓與陣列晶圓分開製造後再進行鍵合，以提升生產良率與效能。
- •BiCS10 相比前一代 BiCS9，在單位面積的位元密度 (Bit Density) 上提升了約 20% 以上。
- •此款 332 層 3D NAND 支援更快的 I/O 傳輸介面，目標是達到 3.2Gbps 以上的傳輸速率，以應對 AI 訓練與邊緣運算需求。
- •該產品線預計將廣泛應用於 PCIe Gen5 與未來的 Gen6 SSD 控制器，以實現更高效的企業級儲存解決方案。
📊 競品分析▸ Show
| 特性 | SanDisk BiCS10 (332層) | Samsung V-NAND (第9代) | Micron (232層/300+層) |
|---|---|---|---|
| 堆疊層數 | 332 層 | 290+ 層 (推估) | 232 層 (量產中) |
| 介面速度 | 3.2 Gbps | 3.2 Gbps | 2.4 Gbps |
| 技術特色 | CBA 鍵合技術 | 雙層堆疊結構 | CMOS-under-Array (CuA) |
🛠️ 技術深入
- 架構設計：採用 CMOS 直接鍵合 (CBA) 技術，將邏輯電路與儲存陣列分離製造，優化晶片面積與散熱。
- 儲存單元：採用 TLC (Triple-Level Cell) 技術，單顆晶片容量達 1Tb。
- 傳輸效能：支援高達 3.2Gbps 的介面速度，顯著降低延遲。
- 功耗管理：透過更精細的電壓控制與製程優化，提升每瓦效能比 (Performance-per-Watt)。
- 封裝技術：支援高密度堆疊封裝，適用於超薄型企業級 SSD 與行動裝置。
🔮 前景展望AI analysis grounded in cited sources
BiCS10 將成為 2027 年企業級 SSD 的主流 NAND 規格。
隨著 AI 伺服器對高密度儲存的需求激增，BiCS10 的高密度與高傳輸速率將使其在企業市場佔據競爭優勢。
Western Digital 與 Kioxia 將進一步擴大在 NAND 市場的市佔率。
透過 BiCS10 的量產，兩家公司能有效降低單位儲存成本，進而提升在價格敏感市場的競爭力。
⏳ 時間線
2022-02
Western Digital 與 Kioxia 共同發表 162 層 BiCS6 技術。
2023-03
雙方宣佈開發 218 層 BiCS8 3D NAND 技術。
2024-05
正式公佈 BiCS9 架構，並開始進行樣品測試。
2026-06
SanDisk 正式發表第 10 代 BiCS10 332 層 1Tb 3D NAND 快閃記憶體。
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