Samsung Foundry Raises Chip Prices Up to 15%

📊 競品分析▸ Show

特性/公司	Samsung Foundry (三星晶圓代工)	TSMC (台積電)	Intel Foundry Services (英特爾晶圓代工服務)
市場份額 (2026年第一季)	約6.5% - 7%	超過70% (純晶圓代工市場)	未進入前十大排名
主要製程節點 (量產/準備)	4nm (SF4), 5nm (SF5), 3nm (SF3 GAA), 2nm (SF2 GAA準備就緒)	3nm (N3), 2nm (N2 ramping)	18A (預計2025年), 14A (未來)
定價策略	4nm/5nm/8nm價格上調10%-15% (美國/中國客戶), 5%-10% (台灣客戶)	先進製程產能滿載，全面調漲2026年報價，不排除連年上調	試圖以具競爭力價格吸引客戶，利用三星與台積電漲價創造機會
技術架構	4nm/5nm為FinFETEUV，3nm/2nm採用GAA (Gate-All-Around) 架構	FinFET (至3nm), 2nm將採用奈米片(Nanosheet)架構	積極發展GAA架構，並規劃超級電軌(Super PowerRail)技術
主要客戶	Apple (部分), Broadcom, Google (部分), Nvidia (部分), Tesla, Groq	Apple, AMD, Broadcom, Google, Intel, Nvidia, Qualcomm, Tesla等	Fortinet (已獲代工訂單), 積極爭取外部晶片設計公司

SF4 (4奈米): 採用FinFETEUV架構，於2021年開始量產。它是FinFET技術在過渡到GAA之前的最終演進，旨在為行動應用提供動力，並為HPC、AI和汽車應用提供高性能、低功耗、設計彈性和穩定良率。
SF5 (5奈米): 採用FinFETEUV架構，於2021年開始量產。該製程旨在使HPC系統在消耗更少電力的同時提供更高的性能，從而隨著運算能力的進步減少能源足跡。
SF3 (3奈米): 於2022年開始量產。三星的3奈米製程利用環繞閘極(GAA)架構和先進的奈米片通道，在功耗、性能和面積(PPA)方面實現了顯著改進。
SF2 (2奈米): 作為第二代MBCFET(GAA)技術節點，SF2為下一代行動、HPC、AI和汽車應用提供增強的穩定性和更高性能。
8奈米: 於2018年開始量產。三星的8奈米RF解決方案是為5G高速數據需求設計的單晶片解決方案，可在緊湊型行動設備中提供持久的電源效率和清晰的信號質量。

全球晶圓代工市場將持續結構性漲價。

由於AI和HPC需求的強勁增長，以及先進製程產能的持續緊張，晶圓代工廠將有更多籌碼調漲價格，形成長期趨勢。

三星晶圓代工業務有望在短期內實現盈利。

此次漲價加上客戶訂單的增加，特別是來自AI和HPC領域的需求，預計將使三星晶圓代工部門扭轉自2022年以來的虧損局面。

地緣政治因素將繼續影響晶圓代工供應鏈。

美國對中國先進晶片製造設備的出口管制，促使中國企業轉向海外代工廠，這將加劇供應鏈的複雜性並影響定價策略。

2018

三星8奈米製程開始量產。

2019

三星7奈米製程開始量產，首次導入EUV微影技術。

2020 Q2

三星5奈米EUV製程開始量產。

2021

三星SF4 (4奈米) 製程開始量產。

2022

三星SF3 (3奈米) 製程開始量產，採用GAA架構；晶圓代工部門開始出現虧損。

2026-07

三星Foundry調漲4奈米、5奈米及8奈米等多個製程節點價格，最高達15%。

Samsung 晶圓代工多節點價格最高上調 15%