Intel may supply EMIB-T for NVIDIA Rubin Ultra chips

•英特爾的 EMIB-T 技術在 Rubin 級加速器上的封裝成本估計為數百美元，遠低於台積電 CoWoS 的 900 至 1,000 美元，顯示出顯著的成本效益優勢。
•EMIB-T 支援 HBM3、HBM3E、HBM4 及未來的 HBM5 堆疊，並可擴展至 120mm x 180mm 的封裝尺寸，支援超過 38 個橋接器和 12 個晶圓尺寸的晶粒，目標在 2028 年達到 12 倍晶圓尺寸，超越台積電 CoWoS-L 預計在 2027 年達到的 9.5 倍上限。
•NVIDIA 採用英特爾 EMIB-T 技術的動機，部分源於台積電 CoWoS 產能的持續瓶頸，以及 NVIDIA 尋求供應鏈多元化和將先進封裝業務「回流」美國的戰略考量。
•除了 NVIDIA，英特爾的 EMIB-T 技術也吸引了其他主要客戶的興趣，包括 Google 的下一代 TPU (代號 'Humufish') 和 Meta 未來的 CPU 項目，預計將為英特爾帶來每年數十億美元的先進封裝收入。
•NVIDIA Rubin Ultra 平台將採用四個運算小晶片和 1TB 的 HBM4E 記憶體，使其成為業界首款配備 TB 級記憶體的 AI 加速器，並將部署在新的 Kyber 機架設計中，該設計將整合 144 個 GPU 封裝。

📊 競品分析▸ Show

特性/指標	英特爾 EMIB-T	台積電 CoWoS
封裝架構	嵌入式矽橋接器直接整合於有機基板中，無需大型矽中介層，EMIB-T 版本額外加入 TSV。	使用完整矽中介層 (CoWoS-S) 或帶有嵌入式矽橋接器的 RDL 中介層 (CoWoS-L)。
成本 (Rubin 級加速器)	每個晶片數百美元 (估計比 CoWoS 便宜 30%-40%)。	每個晶片 900 至 1,000 美元 (估計)。
良率 (當前)	約 90%。	CoWoS-L 目標良率 98%。
晶圓尺寸擴展	2026 年目標 >8 倍晶圓尺寸，2028 年目標 >12 倍晶圓尺寸。	2026 年目標 5.5 倍晶圓尺寸，2027 年目標 9.5 倍，2028 年目標 14 倍。
HBM 支援	支援 HBM3/3E/4/5，可容納多達 12 個 HBM 晶片，2028 年路線圖目標超過 24 個 HBM 堆疊。	2028 年目標整合多達 20 個 HBM 晶片，2029 年目標 24 個。
互連密度	800–1000 IO/mm²。	約 1200 IO/mm² (略優於 EMIB)。
主要應用傾向	更適合 ASIC、行動 SoC 和客製化晶片，在成本效益和大規模物理擴展方面具優勢。	傳統上用於 GPU 與 HBM 的高互連密度需求，但面臨產能限制。

英特爾的先進封裝業務將成為其代工服務的重要收入來源。

隨著對 AI 晶片的需求激增和台積電 CoWoS 產能的限制，英特爾的 EMIB-T 技術作為一個有競爭力的替代方案，有望獲得更多客戶訂單，並帶來每年數十億美元的收入。

NVIDIA 將透過與英特爾的合作，有效分散其先進封裝供應鏈的風險。

NVIDIA 對台積電 CoWoS 產能的過度依賴導致供應瓶頸，與英特爾的戰略合作將確保其未來 AI 晶片（如 Rubin Ultra）的穩定供應，並符合美國本土製造的戰略利益。

先進封裝市場的競爭將日益激烈，推動技術創新和成本優化。

英特爾 EMIB-T 在成本效益、良率和擴展性方面的進步，將對台積電 CoWoS 的主導地位構成挑戰，促使兩家公司及其他競爭者在技術和產能方面持續投入。

2017

英特爾 EMIB 技術進入量產

2024-06

NVIDIA 執行長黃仁勳在 Computex 宣布 Rubin GPU 和 Vera CPU 平台

2025-05

英特爾在電子元件技術大會 (ECTC) 和 Intel Foundry Direct Connect 活動中推出 EMIB-T 技術

2025-12

NVIDIA 完成對英特爾 50 億美元的戰略投資，以確保先進封裝設施的優先使用權

2026-01-05

NVIDIA 正式推出 Rubin 平台，確認基於 Rubin 的產品將於 2026 年下半年上市

2026-05-01

英特爾 EMIB-T 先進封裝技術良率達到 90%

英特爾有望為 NVIDIA Rubin Ultra 晶片供應 EMIB-T 技術