Infineon GaN products banned in China market

•此次禁令源於中國本土氮化鎵（GaN）製造商英諾賽科（Innoscience）於2025年初向蘇州中級人民法院提起訴訟，指控英飛凌侵犯其兩項自主研發的氮化鎵核心發明專利。
•蘇州中級人民法院於2026年5月27日一審判決英飛凌侵權成立，裁定其立即停止相關侵權行為，並向英諾賽科賠償經濟損失1000萬元人民幣。
•這場專利戰是英飛凌與英諾賽科在全球範圍內多起專利糾紛的一部分，英飛凌曾於2024年6月在德國慕尼黑法院起訴英諾賽科並獲得臨時禁令，而美國國際貿易委員會（ITC）也在2025年底至2026年5月期間裁定英諾賽科部分產品侵犯英飛凌專利，但英諾賽科聲明其主流產品未受影響。
•氮化鎵作為第三代半導體核心材料，廣泛應用於快充、伺服器電源、新能源汽車等領域，市場規模正高速增長，此次判決預計將重塑中國國內GaN功率器件的競爭格局。
•英諾賽科在2025年GaN功率元件市場佔有率達32%，位居全球龍頭，而英飛凌則暫居第三，佔16%，顯示中國本土企業在全球GaN市場的競爭力日益增強。

📊 競品分析▸ Show

公司名稱	2025年GaN功率元件市場份額	關鍵特點/策略
英諾賽科 (Innoscience)	32% (全球龍頭)	採用IDM模式，擁有全球首條8吋GaN-on-Si晶圓量產線，並以價格戰策略提供8吋GaN功率晶圓報價等同6吋價格（約1,200美元）。
英飛凌 (Infineon)	16% (全球第三)	作為IDM大廠，擁有廣泛的GaN專利組合（約450個專利家族），並已成功開發300mm GaN功率晶圓技術，產品涵蓋40V至700V電壓範圍。
Power Integrations (美商)	17% (全球第二)	未提供具體特點，但在市場份額上緊隨英諾賽科。
納微半導體 (Navitas Semiconductor)	未提供具體份額	作為Fabless企業，專注於GaN功率IC，是GaN市場的重要參與者。

英飛凌的氮化鎵產品系列稱為CoolGaN™，提供卓越的高效率和高功率密度，適用於消費、工業和汽車應用。
CoolGaN™產品涵蓋40V至700V的多樣電壓需求，包括CoolGaN™ G3中壓電晶體（60V、80V、100V、120V及40V雙向開關）和CoolGaN™ G5高壓電晶體（650V、850V雙向開關）。
英飛凌已成功開發全球首個300mm氮化鎵(GaN)功率半導體晶圓技術，並採用高效能200mm（8吋）晶圓製程製造其新一代CoolGaN™產品。
CoolGaN™雙向開關（BDS）採用真正的常閉式單晶片設計，能阻斷兩個方向的電壓，並可取代多個傳統電晶體，提高效率、密度並節省成本。
CoolGaN™智能感應（Smart Sense）功能提供無損電流檢測，簡化設計並進一步降低功率損耗。
氮化鎵半導體相較於傳統矽材料，具有更高的功率密度、更快的切換速度和更低的功率損耗，能實現更小型化的設計並降低能耗與熱量產生。

中國本土氮化鎵供應商的市場份額將顯著增加。

英飛凌在中國市場的禁售為英諾賽科等本土企業創造了市場空白和增長機會，尤其是在功率器件領域，有助於提升其市場地位。

全球半導體公司在中國的專利保護和訴訟風險將會增加。

此裁決凸顯了中國法院在跨境專利糾紛中的影響力，可能促使國際公司重新評估其在中國的知識產權策略和營運模式。

氮化鎵功率器件的價格競爭將加劇。

隨著中國本土企業市場份額的提升和產能的擴大，可能會進一步推動氮化鎵產品的價格戰，影響全球市場格局，尤其是在中低壓應用領域。

2024-03

英飛凌在美國對英諾賽科提起氮化鎵專利侵權訴訟。

2024-06

英飛凌在德國慕尼黑法院起訴英諾賽科並獲得臨時禁令。

2025年初

英諾賽科在中國蘇州中級人民法院起訴英飛凌侵犯其兩項氮化鎵專利。

2025-12

美國國際貿易委員會（ITC）初步裁定英諾賽科侵犯英飛凌一項氮化鎵專利。

2026-05-27

蘇州中級人民法院一審判決英飛凌侵權成立，要求其停止侵權並賠償1000萬元人民幣。

2026-06-12

中國最高人民法院維持蘇州中院的臨時禁令裁定，正式禁止英飛凌相關氮化鎵產品在中國境內銷售及進口。

Infineon 氮化鎵產品遭中國市場禁售