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IMEC 發表用於 6G 的 325GHz 晶片平台

IMEC 發表用於 6G 的 325GHz 晶片平台
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🌍閱讀原文: The Next Web (TNW)
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💡6G 硬體的重大突破,將定義未來高速 AI 邊緣運算的基礎設施。

⚡ 30-Second TL;DR

有什麼變化

平台支援高達 325GHz 的頻率

為什麼重要

這項研究對於未來高速 AI 資料傳輸與邊緣運算至關重要,能實現分散式 AI 節點間更快速的通訊。

下一步行動

閱讀 IMEC 關於 RF 矽中介層的技術白皮書,了解次太赫茲硬體將如何影響未來 AI 邊緣裝置的連線能力。

誰應關注:Researchers & Academics

關鍵要點

  • 平台支援高達 325GHz 的頻率
  • 次太赫茲頻段的超低訊號損耗
  • 加速 6G 硬體生產的商業可行性

🧠 深度解析

背景與延伸:來自公開資料,非原文內容。引用 11 個來源。

🔑 增強重點摘要

  • 該平台採用異質整合方法,將用於射頻訊號處理的III-V族化合物半導體(如InP、GaAs、GaN)與用於數位互連和無源元件的標準300mm矽中介層結合,解決了昂貴III-V族材料的規模化挑戰。
  • IMEC的最新進展包括三項新的製造能力:高密度嵌入式金屬-絕緣體-金屬電容器(MIMCAPs)、用於無源元件的可擴展建模框架,以及用於III-V小晶片組裝的雷射輔助鍵合技術。
  • 高密度MIMCAPs允許將無源元件從昂貴的III-V小晶片轉移到更便宜的矽中介層上,顯著縮小了小晶片尺寸並降低了成本,同時保持了功率完整性。
  • 雷射輔助鍵合技術在III-V小晶片組裝上實現了高對準精度(低於600nm)和旋轉錯位(低於0.05°),這對於高頻性能和避免對脆弱材料造成熱應力至關重要。
  • 除了6G無線系統,該平台也正在為超高速資料中心應用中的射頻級訊號處理進行開發。

🛠️ 技術深入

  • 異質整合: 結合III-V族化合物半導體(如磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN))用於射頻功能,並結合Si-CMOS用於數位和無源元件。
  • 矽中介層作用: 作為載體基板,提供低損耗互連、承載無源元件並管理數位互連。
  • MIMCAPs: 採用高介電常數氧化鋁-氧化鉿介電質,並結合後段製程(BEOL)堆疊中的三維氧化物凸點結構,實現高密度金屬-絕緣體-金屬電容器。與III-V製程中典型的片上電容器相比,電容密度提高了10到100倍。
  • 無源建模框架: 適用於射頻中介層無源元件的可擴展建模框架,已驗證至約300GHz,能夠準確預測電路性能隨幾何形狀變化的情況,從而縮短開發時間。
  • 雷射輔助鍵合: 一種無損技術,用於將III-V小晶片組裝到射頻矽中介層上,在43個元件上實現了低於600nm的對準精度和低於0.05°的旋轉錯位。組裝後的射頻測量顯示,在110GHz至170GHz範圍內的反射損耗低於-15dB。
  • 中介層特性: 包括矽穿孔(TSVs)、高密度數位互連、厚射頻聚合物處理、多層重佈線層、高Q值無源元件(包括電阻器、電感器、MIM電容器)、與IC的銅和金BEOL微凸塊連接,以及改進的熱導率。
  • 訊號損耗: 在最高325GHz的頻率下實現了0.73dB/mm的創紀錄低插入損耗。

🔮 前景展望AI analysis grounded in cited sources

6G硬體生產成本將顯著降低。
透過將昂貴的III-V元件上的無源元件轉移到更便宜的矽中介層上,並利用標準300mm晶圓生產線,可大幅降低晶片尺寸和製造成本。
異質整合技術將成為未來高頻通訊系統的關鍵。
IMEC的平台展示了將不同材料(如III-V化合物半導體和Si-CMOS)無縫整合到單一平台上的可行性,這對於實現6G及超高速資料中心所需的性能至關重要。
6G網路的標準化和商業部署將加速。
IMEC的技術突破解決了6G在太赫茲頻段面臨的材料和經濟挑戰,為2028年開始的6G標準化和2030年左右的商業部署提供了及時的硬體基礎。

時間線

2020-11
IMEC啟動「Advanced RF」研究計畫,探索混合III-V/CMOS方法以實現100 GHz以上頻率的6G技術。
2022-11
IMEC強調異質整合是6G技術發展的關鍵,特別是針對100GHz以上頻率的磷化銦(InP)材料。
2024-06
IMEC展示了在300mm RF矽中介層上無縫整合InP小晶片,在140GHz下具有可忽略的插入損耗。
2025-05
IMEC的300mm RF矽中介層平台在最高325GHz的頻率下實現了創紀錄的低插入損耗(0.73dB/mm)。
2025-06
IMEC與根特大學合作,發表了完全整合的單晶片微波光子系統,適用於5G/6G、衛星通訊和雷達系統。
2026-06
IMEC擴展其300mm RF矽中介層平台,新增高密度嵌入式電容器、可擴展的無源元件建模框架和雷射輔助鍵合技術,以支援III-V小晶片在Si-CMOS上的異質整合。

📎 來源 (11)

Factual claims are grounded in the sources below. Forward-looking analysis is AI-generated interpretation.

  1. thenextweb.com
  2. imec-int.com
  3. passive-components.eu
  4. inelectronics.co.uk
  5. bisinfotech.com
  6. imec-int.com
  7. semiconductor-today.com
  8. imec-int.com
  9. semiconductor-digest.com
  10. imec-int.com
  11. 6g-ai.com
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原始來源: The Next Web (TNW)

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