瀚天天成領跑 8 吋碳化矽用於 AI 電源

🔑 增強重點摘要

• •Wolfspeed 於 2022 年 4 月開設全球首座也是最大的 8 吋碳化矽工廠，位於紐約 Mohawk Valley，截至 2024 年 6 月晶圓利用率達 20%。[3]
• •ROHM 於 2022 年在日本福岡啟動新廠，並計劃 2025 年轉向 8 吋生產；2023 年 7 月宣布第二廠於 2024 年底開始生產 8 吋碳化矽基板。[3]
• •NGK Insulators 已成功製造 8 吋碳化矽晶圓，將於 2024 ICSCRM 展出；Resonac 接近 8 吋外延晶圓商業化，目標 2025 年量產。[6]
• •SICC 的 8 吋導電碳化矽晶圓近期實現量產，並持續出貨。[8]
• •全球 8 吋碳化矽晶圓市場 2024 年估值 2010 萬美元，預計快速成長，受電動車與再生能源需求驅動。[5]

🛠️ 技術深入

• •8 吋 4H-SiC N 型晶圓規格：晶格常數 a=3.076 Å, c=10.053 Å；密度 3.21 g/cm³；莫氏硬度 9.2；熱導率 (N 型) a4.2, c~3.7 W/cm-K；帶隙 3.23 eV；崩潰電場 3-5 × 10^6 V/cm。[4]
• •高精度雷射切割設備針對 8 吋 SiC 錠驗證中，相較傳統多線鋸切割，切割時間大幅縮短，年產量提升，良率改善 >50%，晶圓厚度可減至 200 μm。[1]
• •SiC 晶圓製造流程：種晶成長 (PVT 或 CVD 方法，高溫 ~2000°C)、錠切割 (鑽石線鋸)、研磨拋光；8 吋轉移可降低單位晶片成本。[2]

🔮 前景展望AI analysis grounded in cited sources

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