SetupAI
EN
來源較早收集於 7h

長鑫科技科創板IPO獲批，加碼DRAM技術研發

閱讀原文： cnBeta (Full RSS)
#memory#semiconductor#china-tech#ipo

國產DRAM獲得大規模資金支持，對中國AI硬體供應鏈至關重要。

30 秒速覽

有什麼變化

科創板IPO獲批，計劃募資295億元人民幣

為什麼重要

此次大規模資金注入將加速中國國產DRAM產能提升，有望緩解本地AI硬體製造商的供應鏈壓力。

下一步行動

若您正在中國構建本地AI伺服器基礎設施，請密切關注CXMT的供應鏈產能變化。

誰應關注：Enterprise & Security Teams

關鍵要點

  • •科創板IPO獲批，計劃募資295億元人民幣
  • •重點投入DRAM晶圓製造產線升級與產能擴張
  • •加強DRAM前瞻技術研發以提升競爭力
關鍵數字295億247.62億1100億1200億

深度解析

背景與延伸：來自公開資料，非原文內容。引用 26 個來源。

增強重點摘要

  • •長鑫科技此次IPO計劃募資295億元人民幣，成為科創板史上第二大IPO項目，資金將主要用於存儲器晶圓製造量產線技術升級改造、DRAM存儲器技術升級及前瞻技術研發項目。
  • •公司在2026年第一季度實現歸母淨利潤247.62億元人民幣，預計上半年營收將達1100億至1200億元，歸母淨利潤為500億至570億元，成功扭轉了過去的虧損局面。
  • •長鑫科技目前已是中國規模最大、全球第四的DRAM製造商，按2025年第四季度銷售額計算，其全球市場佔有率達到7.67%。
  • •長鑫科技的業績增長主要得益於產能爬坡、產品結構升級（如DDR5、LPDDR5/5X的放量）以及DRAM價格回升，特別是受AI算力需求爆發和國際大廠將產能轉向HBM所導致的通用DRAM供給緊張。
  • •長鑫科技的IPO審核流程因採用科創板「預先審閱機制」而大幅縮短，從受理到過會僅用時不到5個月，顯示出國家對其發展的高度重視。

競品分析

全球市場份額 (2025年Q4)
長鑫科技 (CXMT)
7.67% (中國第一，全球第四)
三星電子 (Samsung)
約40.35%
SK海力士 (SK Hynix)
約33.19%
美光科技 (Micron)
約20.73%
主要產品
長鑫科技 (CXMT)
DDR4, DDR5, LPDDR4X, LPDDR5/5X
三星電子 (Samsung)
DDR4, DDR5, LPDDR5/5X, HBM等全系列
SK海力士 (SK Hynix)
DDR4, DDR5, LPDDR5/5X, HBM等全系列
美光科技 (Micron)
DDR4, DDR5, LPDDR5/5X, HBM等全系列
技術節點
長鑫科技 (CXMT)
已量產16nm DDR5，DDR5最高速率8000Mbps，LPDDR5X最高速率10667Mbps
三星電子 (Samsung)
領先製程，已迭代至更高階工藝，HBM領域領先
SK海力士 (SK Hynix)
領先製程，已迭代至更高階工藝，HBM領域領先
美光科技 (Micron)
領先製程，已迭代至更高階工藝，HBM領域領先
HBM進展
長鑫科技 (CXMT)
仍在追趕階段，與國際巨頭存在差距
三星電子 (Samsung)
領先者
SK海力士 (SK Hynix)
領先者
美光科技 (Micron)
領先者
商業模式
長鑫科技 (CXMT)
IDM (整合元件製造商)
三星電子 (Samsung)
IDM (整合元件製造商)
SK海力士 (SK Hynix)
IDM (整合元件製造商)
美光科技 (Micron)
IDM (整合元件製造商)
成本優勢
長鑫科技 (CXMT)
在中國製造體系下，人力、土地、能源綜合成本相對較低
三星電子 (Samsung)
規模化生產和技術領先帶來成本優勢
SK海力士 (SK Hynix)
規模化生產和技術領先帶來成本優勢
美光科技 (Micron)
規模化生產和技術領先帶來成本優勢

技術深入

  • DRAM基本原理: 動態隨機存取存儲器(DRAM)是一種半導體存儲器，其工作原理是利用電容中存儲電荷的多寡來代表二進制比特(bit)的1或0。由於電荷會隨時間流失，DRAM需要定期刷新以保持數據完整性。
  • 製程技術: 長鑫科技已實現從第一代工藝技術平台到第四代工藝技術平台的量產。 2019年推出10奈米級第一代8Gb DDR4產品。 2024年量產16nm DDR5產品。
  • 產品系列: 已形成DDR系列和LPDDR系列兩大主流產品線，涵蓋DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5/5X等。
  • DDR5性能: 最高速率可達8000Mbps，單顆容量最高24Gb。
  • LPDDR5X性能: 最高速率突破10667Mbps，實現16Gb容量節點的關鍵技術跨越。
  • 研發策略: 採取「跳代研發」策略，直接攻堅新一代成熟製程工藝，而非從低端、落後製程起步。
  • HBM發展: 目前在HBM（高頻寬存儲）領域與三星、SK海力士等國際巨頭仍存在差距，但正積極佈局。
  • 未來技術方向: 正在研發面向下一代3D DRAM的關鍵創新架構技術CBA (Cell Bitline Architecture)。
  • IDM模式: 作為一家整合元件製造商(IDM)，長鑫科技涵蓋DRAM芯片的設計、研發、生產和銷售全鏈條。

前景展望基於引用來源的 AI 分析

中國DRAM產業自主可控能力將顯著提升。
長鑫科技作為中國DRAM龍頭，其募資擴產和技術研發將加速國產替代進程，減少對進口的依賴，尤其是在AI時代對存儲的戰略需求日益增長。
全球DRAM市場競爭格局將從「三足鼎立」轉向「四強博弈」。
長鑫科技的產能擴張和技術進步使其在全球市場份額不斷提升，對三星、SK海力士和美光構成挑戰，有望改變長期由三大巨頭壟斷的局面。
中國半導體設備和材料國產化進程將加速。
長鑫科技的大規模擴產和技術升級將為國產設備和材料供應商提供更多驗證和應用機會，推動國內半導體產業鏈的協同發展和韌性提升。

時間線

2015-00
兆易創新收購爾必達計劃失敗，合肥市政府與兆易創新合作啟動DRAM項目。
2016-00
長鑫存儲正式成立，承擔國產DRAM攻關重任。
2018-01
合肥基地一期廠房建設完成，開始設備搬入。
2019-09
10奈米級第一代8Gb DDR4首次亮相，實現中國大陸DRAM產業「從零到一」突破。
2024-00
量產16nm DDR5產品。
2025-10
發佈LPDDR5X產品，最高速率達10667Mbps。
2025-12
長鑫科技科創板IPO申請正式獲受理。
2026-05-27
科創板IPO獲上市委會議通過。
閱讀原文： cnBeta (Full RSS)

AI 週報

閱讀本週精選 AI 大事摘要 →

PostLinkedIn

AI 策展新聞聚合。所有內容版權歸原始發布者所有。
原始來源： cnBeta (Full RSS) ↗

這是摘要，不是原文。去看原站，或訂閱每週簡報。

每週電子報

每週一封，可隨時退訂。