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CXMT 投資放緩重創韓國晶片設備供應商
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💡中國記憶體投資轉向，可能重塑 DRAM 供應、設備取得與 AI 基礎設施成本。
⚡ 30-Second TL;DR
有什麼變化
Wonik Engineering 與 PSK 據報在 2025 年的中國營收跌幅均超過 40%。
為什麼重要
這項轉變可能影響中國的設備供應、供應商多元化，以及記憶體製造擴產計畫。對 AI 基礎設施而言，DRAM 投資放緩或供應鏈本土化加速，可能影響記憶體成本與部署時程。
下一步行動
若 AI 部署依賴中國產能擴張，請重新檢視記憶體供應預測，並認證替代 DRAM 與設備供應商。
誰應關注：Enterprise & Security Teams
關鍵要點
- •Wonik Engineering 與 PSK 據報在 2025 年的中國營收跌幅均超過 40%。
- •CXMT 主動調整半導體投資與設備採購的節奏。
- •中國推動半導體設備國產化，正加大韓國供應商所承受的壓力。
🧠 深度解析
背景與延伸：來自公開資料，非原文內容。引用 18 個來源。
🔑 增強重點摘要
- •長鑫存儲（CXMT）在全球DRAM市場的市佔率在2025年第四季度達到7.67%，位居全球第四，並在2026年第一季度進一步增長至約8%。
- •長鑫存儲於2025年首次實現全年財務盈利，結束了此前多年的高投入虧損階段；受AI算力需求帶動，其2026年第一季度營收與淨利潤均實現爆發式增長。
- •中國政府已推出強制性政策，要求國內晶圓廠在新建或擴建產能時，國產設備採購比例不得低於50%，長期目標是實現全產業鏈自給。
- •包括東京電子在內的五家日本主要半導體設備企業，其2025財年在中國市場的合計銷售額同比下降12%，這是日本晶片設備商在中國年度營收首次出現整體性下滑，其中前道設備廠商的對華銷售額下降約20%。
- •長鑫存儲正積極建立從晶片設計到最終組裝的垂直整合供應鏈，並計劃在2026年底前開始生產HBM3E高頻寬記憶體。
- •Wonik Engineering主要供應ALD（原子層沉積）和CVD（化學氣相沉積）設備，而PSK則專注於PR Strip（光刻膠剝離）設備，這兩類設備在中國市場的國產化替代進程正在加速。
🛠️ 技術深入
- 長鑫存儲（CXMT）的DRAM製程技術持續演進：截至2020年，其LPDDR4和DDR4記憶體採用19奈米製程；2023年末，LPDDR5量產採用18.5奈米製程；2024年成功開發17.5奈米製程用於DDR5和LPDDR5x；2025年11月，發布採用16奈米（第四代）製程的DDR5-8000和LPDDR5x-10667產品，目前正開發15奈米（第五代）製程。
- 為應對EUV光刻機的限制，長鑫存儲採用DUV設備結合多重曝光技術來實現更精細的電路，儘管這可能帶來良率壓力和更高的單片成本。
- Wonik Engineering主要提供原子層沉積（ALD）和化學氣相沉積（CVD）設備。
- PSK主要提供光刻膠剝離（PR Strip）設備，中國本土設備商在PR Strip領域的國產化率已達50%。
- 中國在清洗、熱處理等中低難度半導體設備領域的國產化率已突破50%，刻蝕和薄膜沉積設備的國產化率也在快速提升。
🔮 前景展望AI analysis grounded in cited sources
中國半導體設備國產化率將持續提升，對國際供應商構成長期挑戰。
中國政府已將半導體設備國產化提升至國家戰略高度，並設定了強制性的採購比例目標，預計到2031年國產設備市場份額將提升至55%以上。
長鑫存儲將在全球DRAM市場扮演更重要角色，尤其在DDR5和HBM領域。
長鑫存儲已實現DDR5量產並積極佈局HBM3E，其產能擴張和技術進步將使其在全球DRAM供應鏈中的影響力持續增強。
韓國半導體設備供應商在中國市場的營收壓力將持續存在，並可能促使其調整全球市場策略。
隨著中國國產替代政策的深化和本土供應商技術的成熟，Wonik Engineering和PSK等韓國廠商在中國的市場份額將面臨持續侵蝕，迫使其尋求其他市場機會。
⏳ 時間線
2016-05
長鑫存儲（前身為睿力集成電路有限公司）成立。
2019
長鑫存儲自主研發的首顆8GB DDR4顆粒成功試產。
2023-12
長鑫存儲推出首款自研LPDDR5低功耗晶片。
2025
長鑫存儲首次實現全年財務盈利。
2025-12
長鑫存儲的控股主體「長鑫科技集團股份有限公司」向上交所遞交科創板首發申請。
2026-07-27
長鑫科技（CXMT）正式在上交所科創板掛牌交易，股票代碼688825。
📎 來源 (18)
Factual claims are grounded in the sources below. Forward-looking analysis is AI-generated interpretation.
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