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中國晶片製造商轉向 SiC 以應對 AI 資料中心需求

閱讀原文: SCMP Technology
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了解 SiC 晶片如何成為解決 AI 產業龐大電力消耗危機的關鍵硬體方案。

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有什麼變化

AI 資料中心正對全球電網造成前所未有的壓力。

為什麼重要

採用 SiC 技術可以顯著降低大規模 AI 訓練叢集的營運成本與碳足跡。此趨勢凸顯了 AI 供應鏈中關鍵的硬體瓶頸。

下一步行動

評估您目前硬體架構的能源效率規格,並持續關注未來資料中心部署中基於 SiC 的電源供應單元可用性。

誰應關注:Founders & Product Leaders

關鍵要點

  • •AI 資料中心正對全球電網造成前所未有的壓力。
  • •Basic Semiconductor 正推動香港 IPO 以資助 SiC 擴張。
  • •與傳統矽晶片相比,SiC 半導體在電源管理方面具有更優越的能源效率。

深度解析

本篇為 AI 生成分析,非原文內容。

增強重點摘要

  • •中國政府透過『十四五』規劃及相關產業基金,將碳化矽(SiC)列為戰略性關鍵材料,以減少對進口功率半導體的依賴。
  • •Basic Semiconductor(基本半導體)已成功開發出車規級 SiC MOSFET,並開始進入電動車(EV)供應鏈,這為其轉向 AI 資料中心電源管理提供了技術基礎。
  • •SiC 元件在高溫與高壓環境下的穩定性,使其能顯著縮小資料中心電源供應單元(PSU)的體積,進而提升機櫃的功率密度。
  • •除了 Basic Semiconductor,中國其他 SiC 廠商如天岳先進(SICC)與天科合達(Tankeblue)正積極擴大 6 吋及 8 吋 SiC 晶圓的產能,以緩解供應鏈瓶頸。
  • •中國企業正致力於解決 SiC 晶圓的缺陷密度問題,以提高良率並降低成本,這是與國際大廠(如 Wolfspeed、Infineon)競爭的關鍵。

競品分析

核心優勢
Basic Semiconductor
中國本土供應鏈整合
Wolfspeed
全球領先的 SiC 晶圓產能
Infineon
廣泛的工業與車用市佔率
產品重心
Basic Semiconductor
車規級 MOSFET / 模組
Wolfspeed
8 吋 SiC 晶圓與元件
Infineon
高可靠性功率模組
市場定位
Basic Semiconductor
中國市場替代方案
Wolfspeed
全球供應鏈核心供應商
Infineon
高階工業與車用市場領導者

技術深入

  • SiC 寬能隙特性:SiC 的能隙約為 3.26 eV,約為矽(Si)的 3 倍,允許元件在更高電壓下運作且損耗更低。
  • 導通電阻(Rdson):透過優化閘極氧化層製程,Basic Semiconductor 的 SiC MOSFET 在高溫下能維持極低的導通電阻,減少熱能損耗。
  • 切換頻率:SiC 元件的高切換頻率特性,使得資料中心電源轉換器能使用更小的被動元件(電感、電容),實現高功率密度設計。
  • 熱導率:SiC 的熱導率約為矽的 3 倍,能更有效地將熱量從晶片表面導出,降低散熱系統的負擔。

前景展望基於引用來源的 AI 分析

中國 SiC 廠商將在 2027 年前實現 8 吋 SiC 晶圓的規模化量產。
隨著產能擴張與技術成熟,良率提升將使 8 吋晶圓成為降低單位成本的主流選擇。
AI 資料中心電源模組將全面轉向 SiC 技術以符合 ESG 節能標準。
SiC 帶來的能源轉換效率提升能直接降低資料中心的 PUE(能源使用效率)值,符合全球減碳趨勢。

時間線

2016-05
基本半導體(Basic Semiconductor)在深圳正式成立。
2021-09
基本半導體發布首款國產車規級 SiC MOSFET。
2023-06
基本半導體完成數億元人民幣的 C2 輪融資,用於擴大產能。
2024-11
基本半導體正式向港交所遞交 IPO 申請,尋求資本市場支持。

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