Apple to raise prices due to memory chip costs

•記憶體晶片價格飆升的主要驅動力來自於AI伺服器對高頻寬記憶體（HBM）的爆炸性需求，其DRAM消耗量是傳統伺服器的8倍，導致製造商將產能轉向高利潤的HBM和DDR5，進而造成消費級記憶體結構性短缺。
•DRAM和NAND Flash的合約價格經歷了前所未有的漲幅，DRAM合約價在2025年第三季較去年同期飆升171.8%，預計2026年全年將再上漲100%甚至更多；NAND Flash價格亦持續上揚，預計2026年第二季漲幅可能達到70%至75%。
•儘管Apple是全球最大的記憶體晶片採購商之一，每年支出數百億美元，但在AI企業透過巨額預付款和長期合約鎖定供應的情況下，Apple也面臨供應吃緊和議價能力受限的挑戰。
•Apple執行長庫克形容過去半年記憶體原物料價格的劇烈波動是「百年一遇的大洪水」，在他40多年的電子供應鏈生涯中前所未見。
•為維持既有毛利率，分析師預估下一代iPhone 18 Pro的售價可能需要增加約270美元，使其價格上看1,299美元。

📊 競品分析▸ Show

公司/產品	記憶體成本影響	應對策略/市場反應
Apple	記憶體與儲存晶片成本大幅攀升，尤其DRAM市場因HBM需求擠壓。	計劃調漲產品價格，庫克表示漲價「無可避免」。已在兩場發表會之間調高Mac Mini起售價。考慮動用現金儲備協助增加記憶體供應，但不自建晶片廠。
聯想、戴爾、惠普	成本壓力已開始傳導。	已通知客戶新報價上調，最高漲幅達20%，部分筆電漲價新台幣5000元。
Google	AI晶片需求龐大，需大量記憶體。	傳出正與三星電子洽談合作，將下一代AI晶片部分生產交由三星負責，以分散對台積電的依賴。
記憶體製造商 (三星、SK海力士、美光)	AI需求帶動HBM及DDR5價格飆升，利潤豐厚。	將80%資本支出傾斜至HBM和DDR5等高利潤AI儲存產品，導致傳統DDR4產能嚴重擠壓。掌握DRAM市場約90%供應量。
其他手機/PC製造商	面臨記憶體供應緊張及價格上漲壓力。	部分中階手機悄然漲價100至300人民幣。透過降低單機記憶體容量配置或將重心放在高階機種來吸收衝擊。

記憶體晶片價格上漲的核心原因在於AI伺服器對高頻寬記憶體（HBM）的巨大需求，HBM每個位元所消耗的晶圓產能是傳統DRAM的三至四倍。
記憶體製造商正將產能重點轉向利潤更高的數據中心用記憶體類型，如HBM和DDR5，導致面向消費市場的DDR4記憶體產能大幅減少，甚至加速退出市場。
HBM的生產涉及複雜的3D堆疊結構，例如透過矽穿孔（TSV）技術實現8層、12層甚至更高層數的堆疊，這增加了製造工藝的複雜性和成本。
DRAM技術正朝向更先進的製程節點演進，例如美光的1α（1-alpha）製程，這是10奈米級別的第四代技術，旨在提升效能、能源效率並降低製造成本。
新興的CXL（Compute Express Link）互連技術旨在改變傳統儲存架構，實現CPU、GPU和記憶體之間的高速互連，推動「記憶體池化」（Memory Pooling）概念，以提升伺服器擴充彈性。

消費性電子產品的價格將普遍上漲。

記憶體晶片成本的結構性上漲，將迫使包括Apple在內的終端產品製造商轉嫁成本給消費者，以維持利潤率。

記憶體產業的供應鏈將持續緊張，並可能加速技術轉型。

AI需求對HBM的龐大胃納量，將促使記憶體製造商優先投資高階產品，導致傳統記憶體供應持續吃緊，並加速DDR4向DDR5及HBM的過渡。

科技巨頭將更積極地分散其晶片供應鏈。

為了降低對單一供應商的依賴並確保關鍵零組件的穩定供應，大型科技公司將尋求與更多晶片製造商合作，甚至考慮投資產能。

2023-Q4

全球DRAM和NAND快閃記憶體價格開始上漲3%-8%，結束供過於求局面。

2024-Q4

記憶體價格復甦演變為「超級週期」的開始，DDR4 16Gb現貨價格自此時起漲幅高達1800%。

2025-Q3

DRAM市場綜合價格指數上漲19.2%，NAND Flash上漲5%，DRAM合約價格較去年同期飆升171.8%。

2025-Q4

DRAM整體價格預計季增13%-18%，部分產品價格調漲幅度高達30%。

2026-Q1

DRAM、NAND、HBM全品類合約價格季增80%-90%，創歷史新高。

2026-05

Apple已在兩場產品發表會之間調高Mac Mini的起售價格。

2026-06-17

Apple執行長庫克接受華爾街日報專訪，宣布因記憶體晶片成本上漲將調漲產品價格。

Apple 因記憶體晶片成本上漲將調漲價格