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TSMC 瞄準 2030 年導入 High-NA EUV
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💡TSMC 的 EUV 路線圖可能決定下一代 AI 加速器可用的製程節點。
⚡ 30-Second TL;DR
有什麼變化
TSMC 已公布 2030 年導入 High-NA EUV 微影技術的目標。
為什麼重要
High-NA EUV 可能協助未來 AI 加速器實現更先進且更高密度的晶片設計，但距離實際導入仍有數年時間。TSMC 的路線圖可能影響加速器設計者對未來製程供應與製造成本的預期。
下一步行動
將 TSMC 在 2030 至 2033 年的 High-NA EUV 里程碑納入你的 AI 加速器製造與製程節點規劃。
誰應關注：Researchers & Academics
關鍵要點
- •TSMC 已公布 2030 年導入 High-NA EUV 微影技術的目標。
- •A10 與 A11 製程技術是初期導入的主要候選方案。
- •TSMC 計畫在 2033 年採用支援 6×12 英吋光罩的新型掃描機。
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原始來源： Tom's Hardware ↗
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