Rapidus 籌資17億美元推進2奈米量產

🔑 增強重點摘要

• •Rapidus已成功原型化2nm GAA電晶體，並在IIM-1工廠中驗證其電氣特性，包括導電性、電阻、電壓、功率與頻率。[1][2]
• •公司計劃於2026年第一季向先進客戶發布2nm製程相容的PDK，並準備客戶原型製作環境。[1][2]
• •Rapidus採用單晶圓前端處理與極紫外光（EUV）微影技術，並透過AI模型利用單晶圓數據優化製造流程，提升產率。[1][2][7]
• •新投資者DNP加入，支持EUV光罩開發，並於2024年被選為Rapidus的NEDO項目分包商。[4]
• •Rapidus開發AI設計工具Raads Generator與Raads Predictor，將於2026年起發布，用於RTL設計與優化。[7]

🛠️ 技術深入

• •採用**Gate-All-Around (GAA)**電晶體架構，原型晶圓已展現電氣特性。
• •IIM-1工廠使用單晶圓前端處理與EUV微影，連接超過200台先進設備。
• •AI驅動優化：單晶圓產生大量數據訓練AI模型，用於缺陷檢測、製程調整與預測維護。
• •開發Raads Generator（基於LLM的EDA工具，輸入規格輸出RTL設計）和Raads Predictor（RTL除錯與PPA估計）。
• •預期性能：>45%提升、>75%功耗降低、>2x密度改善（相較7nm FinFET）。[1][2][6][7]

🔮 前景展望AI analysis grounded in cited sources

⏳ 時間線