Nvidia CEO Jensen Huang to meet Samsung leadership

•輝達執行長黃仁勳此次韓國行，旨在深化輝達在亞洲的AI生態系統，將合作範圍從高頻寬記憶體（HBM）擴展至實體AI與機器人平台，並與包括LG、SK及現代汽車在內的韓國科技巨頭進行一系列高層會談。
•輝達已完成對全球三大HBM供應商（三星、SK海力士、美光）的HBM4產品認證，這意味著其下一代AI加速器（如Vera Rubin平台）將擁有多元化的供應鏈，以確保供應穩定性。
•三星電子已於2026年2月開始量產HBM4，並計劃在2026年將HBM4在其總HBM出貨量中的佔比提升至50%以上，同時預計整體HBM產量將比去年增加三倍。
•黃仁勳明確指出機器人將成為韓國的下一個主要產業，輝達計劃利用韓國作為全球製造中心的優勢，與當地製造商在機器人與AI領域展開合作。
•輝達正在首爾設立一個AI技術中心，積極招募專注於「實體AI」、數位孿生和機器人技術的解決方案架構師，顯示其在韓國進行重要的研發投資。

📊 競品分析▸ Show

特點/廠商	三星電子 (Samsung Electronics)	SK海力士 (SK Hynix)	美光科技 (Micron Technology)
HBM市場地位	擁有強大的製造規模與垂直整合能力，能支援大批量生產與擴產。HBM4於2026年2月量產，目標2026年HBM4佔比超50%。	長期被視為HBM領域的先行者，在AI記憶體市場切入較早，與高階加速器供應鏈協同經驗豐富。HBM4於2025年9月量產。	偏向以穩定品質、產品驗證與特定客戶需求切入，強調良率與交期的平衡。HBM4於2026年第一季量產。
HBM4認證	已通過輝達HBM4認證。	已通過輝達HBM4認證。	已通過輝達HBM4認證。
HBM5技術路線	計劃HBM5基片採用2奈米製程，並引入HPB（Heat Path Block）熱管理技術，透過嵌入銅基導熱結構降低熱阻。	計劃HBM5引入iHBM（integrated HBM）散熱技術，將集成冷卻元件內嵌到HBM中，旨在將熱阻降低30%以上。	專注於低功耗HBM設計，並探索TSV（Through-Silicon Via）微溝槽液冷技術，透過蝕刻微型溝槽讓冷卻液循環。
HBM4E進度	於2026年5月開始向主要客戶交付首批12層48GB HBM4E樣品。	計劃2026年下半年送樣、2027年量產HBM4E。	計劃於2027年量產HBM4E。
2026年產能	2026年HBM產能已售罄，並考慮進一步擴建生產線。	2026年HBM供應談判已完成，產能已提前鎖定。	2026年所有HBM訂單已接近全部售出。

HBM4技術規格: 輝達已認證三星、SK海力士和美光為HBM4供應商，HBM4是輝達下一代AI晶片平台Vera Rubin的關鍵。輝達要求HBM4的數據傳輸速度需超過每秒10 Gbps，其中三星已展示每秒11 Gbps的傳輸速度，超越SK海力士的每秒10 Gbps。
HBM5製程與堆疊: 三星計劃HBM5的基片將採用其2奈米晶圓代工製程，相較於HBM4/HBM4E所使用的4奈米製程，是跨代升級。HBM5預計將支援最高16層堆疊，並提供高達每秒2TB的頻寬。
HBM熱管理技術: 下一代HBM（HBM5）的競爭焦點將轉向內部熱管理。
- SK海力士的iHBM: 透過在HBM堆疊中嵌入集成冷卻元件（ICE），創建專用散熱通道，目標是將熱阻降低30%以上。
- 三星的HPB: 採用熱路徑塊（Heat Path Block）方案，將銅基導熱結構嵌入多層DRAM裸片之間，形成內部「散熱煙囪」，可降低熱阻16%。
- 美光的TSV微溝槽液冷: 探索透過在AI加速器晶片內部蝕刻微型溝槽，讓冷卻液循環流動，以降低內部熱積累。
Nvidia機器人平台: 輝達的「H2 Plus」（或稱「Nvidia Isaac Root」）是一個專為人形機器人設計的參考平台，整合了輝達Jetson Thor運算平台（內含Blackwell GPU）與Isaac GR00T基礎模型，旨在降低學術界開發機器人的門檻，預計於2026年10月上市。

輝達多元化的HBM4供應鏈將顯著提升其AI加速器生產的穩定性和擴展性。

透過認證三星、SK海力士和美光作為HBM4供應商，輝達降低了對單一供應商的依賴，有效規避了供應鏈瓶頸風險，並能加速Vera Rubin等新平台的量產。

在輝達的戰略投資與合作推動下，韓國有望成為全球實體AI和機器人技術發展的重要樞紐。

黃仁勳明確表示機器人將是韓國的下一個重大產業，輝達在首爾設立AI技術中心專注於實體AI和機器人研發，並與韓國製造業巨頭建立合作關係，這些都顯示出利用韓國工業優勢發展該領域的決心。

HBM技術的競爭將日益聚焦於先進的熱管理解決方案和基礎晶片中的客製化邏輯整合。

隨著HBM4技術趨於成熟，HBM5的開發已將重點放在創新的散熱方案（如iHBM、HPB、TSV液冷）以及在基礎晶片中整合更多邏輯和客製化功能，以滿足不斷演進的AI工作負載需求。

2016

Nvidia聯合三星HBM2與台積電CoWoS技術，推出首款AI顯示卡Tesla P100。

2025-09

三星的12層HBM3E產品在歷經18個月後，通過輝達的品質認證。

2025-10-31

Nvidia宣布與三星電子合作建立新的AI工廠，將合作擴展至製造、AI和機器人領域。

2026-02

三星電子宣布開始量產HBM4。

2026-05

三星開始向主要全球客戶交付業界首批12層48GB HBM4E樣品。

2026-06-05

輝達執行長黃仁勳在訪問韓國期間，證實三星、SK海力士和美光均已通過HBM4認證。

Nvidia CEO 黃仁勳將與三星電子高層會面