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先進封裝成為 AI 的新算力引擎

閱讀原文: 虎嗅
#chiplets#hybrid-bonding#hbm

AI 擴展正從電晶體數量轉向封裝頻寬、鍵合密度與 HBM 整合能力。

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有什麼變化

全球先進封裝市場規模預計將從 2025 年的 550 億美元,增長至 2031 年超過 1,200 億美元。

為什麼重要

對 AI 基礎設施建置者而言,封裝的重要性正逐漸接近製程節點。CoWoS 與先進鍵合產能受限,可能持續影響加速器出貨、系統設計選擇與整體算力成本,並延續至 2027 至 2028 年。

下一步行動

規劃下一代 AI 加速器或推理伺服器時,請實測基於 UCIe 的 Chiplet 設計,並將其頻寬、延遲、散熱與封裝限制和單晶片方案比較。

誰應關注:Enterprise & Security Teams

關鍵要點

  • •全球先進封裝市場規模預計將從 2025 年的 550 億美元,增長至 2031 年超過 1,200 億美元。
  • •UCIe 3.0 將 Chiplet 互連速度提升至 48 GT/s 與 64 GT/s,高於 UCIe 2.0 的 32 GT/s。
  • •Intel 的 Foveros Direct 3D 採用小於 10 微米的銅對銅混合鍵合,互連密度約可提升 10 倍。
  • •台積電 CoWoS 可將 AI 處理器與 HBM 整合,仍是 AI 晶片供應鏈的重要瓶頸,儘管其正持續擴充產能。

深度解析

本篇為 AI 生成分析,非原文內容。

增強重點摘要

  • •先進封裝技術正推動矽光子(Silicon Photonics)整合,透過光互連解決電訊號在長距離傳輸下的功耗與頻寬瓶頸。
  • •玻璃基板(Glass Substrate)技術被視為繼有機基板後的下一代解決方案,能提供更佳的平坦度與熱穩定性,以支援更大尺寸的封裝。
  • •除了 CoWoS,台積電的 SoIC(系統整合晶片)技術已實現 3D 堆疊,允許將不同製程節點的晶片直接鍵合,進一步降低延遲。
  • •先進封裝的良率管理已成為晶圓代工廠的核心競爭力,透過 AI 驅動的自動化光學檢測(AOI)技術,封裝廠正大幅縮短缺陷檢測時間。
  • •隨著 Chiplet 生態系成熟,開放式標準如 BoW(Bunch of Wires)與 UCIe 的競爭,正加速推動異質整合晶片的模組化設計。

競品分析

核心技術
台積電 (CoWoS/SoIC)
矽中介層/混合鍵合
Intel (Foveros)
3D 堆疊/混合鍵合
Samsung (I-Cube/H-Cube)
矽中介層/2.5D 封裝
市場定位
台積電 (CoWoS/SoIC)
高階 AI/HPC 首選
Intel (Foveros)
自有產品與代工並重
Samsung (I-Cube/H-Cube)
記憶體與邏輯整合
互連密度
台積電 (CoWoS/SoIC)
極高
Intel (Foveros)
高
Samsung (I-Cube/H-Cube)
中高
產能擴充
台積電 (CoWoS/SoIC)
極積極 (持續擴產)
Intel (Foveros)
穩健 (擴大代工)
Samsung (I-Cube/H-Cube)
積極 (追趕中)

技術深入

  • 混合鍵合 (Hybrid Bonding): 採用銅對銅直接連接,取代傳統錫球凸塊 (Solder Bumps),大幅縮小間距至 10 微米以下,降低寄生電容與電阻。
  • 矽中介層 (Silicon Interposer): 作為晶片間的橋樑,提供高密度佈線層,支援 HBM 與邏輯晶片之間的高速數據傳輸。
  • 散熱設計: 先進封裝引入微流道散熱與高導熱介面材料 (TIM),以應對 3D 堆疊帶來的熱密度集中問題。
  • 測試挑戰: 由於晶片堆疊後無法進行傳統針測,業界正導入內建自我測試 (BIST) 與掃描鏈技術來確保封裝後的晶片功能完整性。

前景展望基於引用來源的 AI 分析

先進封裝產能將成為 2027 年 AI 晶片出貨量的唯一硬性天花板。
目前全球先進封裝產能擴張速度仍落後於 AI 訓練與推論晶片的需求成長曲線。
矽光子技術將在 2028 年前進入大規模商業化應用。
隨著電訊號傳輸在 1.6T 乙太網路時代面臨極限,光互連將成為封裝內部的標配。

時間線

2011-09
台積電正式發表 CoWoS 封裝技術,開啟 2.5D 封裝時代。
2019-02
Intel 發表 Foveros 3D 封裝技術,實現邏輯晶片堆疊。
2022-03
UCIe 聯盟成立,推動 Chiplet 互連標準化。
2023-05
台積電 SoIC 技術進入量產,支援高效能運算晶片堆疊。
2024-06
UCIe 2.0 標準發布,進一步優化 Chiplet 互連效率與相容性。

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