三星放大DRAM尺寸提升HBM4效能

🔑 增強重點摘要

• •三星於2026年2月12日宣布開始HBM4大規模生產並出貨，是業界首家達成此里程碑，並提前供應給NVIDIA等客戶。
• •HBM4採用4nm邏輯基底晶片，能量效率提升約40%、熱阻降低10%、散熱改善30%，相較前一代大幅優化。
• •三星HBM4傳輸速度穩定達11.7Gbps，可擴展至13Gbps，主要供應NVIDIA Vera Rubin AI加速器及Google第七代TPU。
• •三星預計2026年HBM銷售額較2025年成長三倍以上，並加速平澤P5廠潔淨室建設至2026年第三季完工。

🛠️ 技術深入

• •HBM4基底晶片使用4nm foundry製程，搭配第6代10nm級1c DRAM，實現穩定良率無需重新設計。
• •傳輸速度一致11.7Gbps，可達最高13Gbps，透過Design Technology Co-Optimization (DTCO)整合Foundry與Memory業務。
• •內部評估顯示業界領先性能，能量效率提升40%、熱阻改善10%、散熱提升30%。
• •三星作為唯一IDM提供邏輯、記憶體、foundry及封裝一站式解決方案，縮短生產週期。

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