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Kioxia 開始為 AI 資料中心出貨新型快閃記憶體

閱讀原文： Bloomberg Technology
#storage#data-center#hardware-innovation

適用於 AI 資料中心的新型儲存硬體選擇，有助於解決大規模訓練中的 I/O 瓶頸。

30 秒速覽

有什麼變化

Kioxia 開始出貨次世代快閃記憶體樣品

為什麼重要

新型高效能儲存解決方案可顯著減少大規模 AI 模型訓練中的 I/O 瓶頸。此發布為資料中心架構師優化吞吐量提供了更多選擇。

下一步行動

評估 Kioxia 的新型快閃記憶體樣品，以用於您的下一次資料中心儲存升級，從而提升訓練資料的讀取速度。

誰應關注：Developers & AI Engineers

關鍵要點

  • •Kioxia 開始出貨次世代快閃記憶體樣品
  • •專門針對 AI 資料中心營運商
  • •旨在高效能儲存領域競爭的策略性舉措

深度解析

本篇為 AI 生成分析，非原文內容。

增強重點摘要

  • •Kioxia 此次推出的新型快閃記憶體採用了最新的 BiCS FLASH 3D 快閃記憶體技術，旨在解決 AI 模型訓練過程中對高頻寬與低延遲儲存的極端需求。
  • •該產品系列特別針對 AI 推論與大型語言模型（LLM）的即時數據存取進行了架構優化，以減少資料傳輸瓶頸。
  • •此舉被視為 Kioxia 在準備首次公開募股（IPO）過程中，強化其在企業級 SSD 市場競爭力與獲利能力的關鍵戰略。
  • •Kioxia 正與多家全球領先的雲端服務供應商（CSP）進行深度技術整合測試，以確保其儲存解決方案能與現有的 AI 加速器架構無縫銜接。
  • •新型記憶體晶片導入了先進的電源管理技術，能有效降低大規模資料中心在處理 AI 工作負載時的整體功耗（TCO）。

競品分析

技術架構
Kioxia (次世代 AI 快閃記憶體)
BiCS FLASH 3D
Samsung (V-NAND 系列)
V-NAND (300+ 層)
Micron (G9 NAND)
G9 232-layer+
AI 應用優化
Kioxia (次世代 AI 快閃記憶體)
高頻寬/低延遲架構
Samsung (V-NAND 系列)
高密度儲存/效能平衡
Micron (G9 NAND)
高速傳輸/能效比
市場定位
Kioxia (次世代 AI 快閃記憶體)
AI 資料中心專用
Samsung (V-NAND 系列)
全方位企業與消費級
Micron (G9 NAND)
高效能運算與 AI 伺服器

技術深入

  • 採用多層堆疊技術（超過 300 層），顯著提升單位面積的儲存密度。
  • 支援 PCIe Gen6 介面標準，提供極高的資料傳輸速率以應對 AI 訓練需求。
  • 整合了專用的 AI 數據預取演算法，能預測並提前載入模型參數。
  • 具備增強的錯誤修正碼（ECC）引擎，確保在長時間高負載運作下的資料完整性。
  • 針對隨機讀取效能（IOPS）進行了硬體層級的優化，特別適合處理非結構化 AI 資料集。

前景展望基於引用來源的 AI 分析

Kioxia 將在 2026 年底前顯著提升其在企業級 SSD 市場的市佔率。
透過與大型雲端服務供應商的深度合作，Kioxia 能有效將技術優勢轉化為實際的供應鏈訂單。
AI 專用快閃記憶體將成為未來兩年記憶體產業的主要營收成長引擎。
隨著 AI 資料中心對儲存效能的要求不斷提高，高階快閃記憶體的平均售價（ASP）預計將維持在高檔。

時間線

2023-03
Kioxia 宣布開發出超過 300 層的 3D 快閃記憶體技術。
2024-08
Kioxia 擴大企業級 SSD 產能，以應對 AI 伺服器市場的初步需求。
2025-11
Kioxia 完成次世代 AI 快閃記憶體架構的驗證階段。
2026-06
Kioxia 正式向主要 AI 資料中心客戶提供新型快閃記憶體樣品。
閱讀原文： Bloomberg Technology

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