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Kioxia 股價因 AI 資料中心儲存需求激增而飆升

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📊閱讀原文： Bloomberg Technology
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💡Kioxia 的獲利飆升證實了 AI 基礎設施需求正推動儲存硬體產業的巨大成長。

⚡ 30-Second TL;DR

有什麼變化

Kioxia 公布的獲利數據大幅超出市場預期。

為什麼重要

儲存供應商強勁的財務表現，顯示 AI 基礎設施的資本支出持續增加。這表明 AI 擴展所需的硬體瓶頸，仍是投資者與業界關注的關鍵焦點。

下一步行動

密切關注 NAND 快閃記憶體與高容量儲存設備的供應鏈趨勢，因為這些是 AI 基礎設施部署能力的領先指標。

誰應關注：Enterprise & Security Teams

關鍵要點

  • •Kioxia 公布的獲利數據大幅超出市場預期。
  • •需求激增與 AI 資料中心基礎設施的擴張直接相關。
  • •市場情緒極為樂觀，Kioxia 股票出現大量買單。

🧠 深度解析

Web-grounded analysis with 25 cited sources.

🔑 增強重點摘要

  • •鎧俠在2026年第一季實現了8690億日圓的淨利，較去年同期增長48倍，使其成為日本企業中獲利僅次於豐田汽車的第二大公司。
  • •為擴大投資者接觸並籌集未來產能擴張資金，鎧俠已宣布計劃在美國掛牌美國存託憑證（ADR）。
  • •全球NAND快閃記憶體市場正進入由AI驅動的「超級週期」，預計2026年AI相關需求將佔總市場的37%，這使得NAND市場脫離了傳統消費性電子產品的週期性波動。
  • •鎧俠正策略性地將生產重心從利潤較低的消費級NAND轉向高價值的企業級SSD，並利用其自主開發的BiCS FLASH 3D NAND技術。
  • •公司積極開發下一代AI儲存解決方案，包括容量高達245.76TB用於向量資料庫的LC9系列，以及針對生成式AI中檢索增強生成（RAG）技術的AiSAQ™儲存系統。
📊 競品分析▸ Show
公司名稱主要NAND技術/產品AI資料中心策略介面/容量亮點
Kioxia (鎧俠)BiCS FLASH™ 3D NAND (第8代218層, 第10代目標332層), XL-FLASH SCM專注於高容量、高效能企業級SSD (CM, LC, PM, RM, FL系列), 針對AI訓練/推論、向量資料庫優化 (LC9系列達245.76TB), 研發AiSAQ™用於RAGPCIe Gen5, NVMe 2.0, E3.S/2.5吋/M.2, 最高61.44TB (CM系列), 245.76TB (LC9系列)
Samsung (三星)V-NAND (規劃V10達420-430層, 2030年目標1000層)積極發展高層數NAND, 探索CXL 3.1擴展記憶體以支援AI工作負載CXL 3.1擴展記憶體 (Q4量產1TB容量, 72GB/s頻寬)
SK Hynix (SK海力士)3D NAND (321層QLC領先量產)策略性轉向高價值產品, 部分NAND產能轉用於HBM, 聚焦高階DRAM與HBM321層QLC NAND
Micron (美光)3D NAND (如6500 ION)強調HBM頻寬增長超越傳統儲存, 推動AI工作負載轉向大容量NVMe儲存, 搭配Dell Power Edge展示Gen5 NVMeGen5 NVMe SSD (如6500 ION)
Western Digital (西部數據/SanDisk)3D NAND (與Kioxia合資生產)專攻承載AI訓練與推論所需資料的企業級SSD與資料中心儲存解決方案企業級SSD, 資料中心儲存

🛠️ 技術深入

  • BiCS FLASH™ 3D NAND技術: 鎧俠的核心NAND技術。第8代BiCS FLASH™採用218層字線和CMOS直接鍵合到陣列（CBA）晶圓鍵合技術，實現1Tb TLC密度。其數據讀取時間為40微秒，寫入速度為205MB/s，介面速度為3.2Gbps。
  • 下一代BiCS FLASH™: 鎧俠正同步開發第9代和第10代BiCS FLASH™。第10代目標堆疊332層（比第8代增加1.5倍），以實現更高的位元密度和電力效率。
  • 企業級SSD產品線: 鎧俠提供CM、LC、PM、RM、FL等多個系列，專為資料中心和企業應用設計。
    • CM系列: 雙埠PCIe® / NVMe™ SSD，2.5吋外形規格最高容量達61.44TB，E3.S外形規格最高達30.72TB。CM9系列支援PCIe® 5.0和NVMe™ 2.0，速度高達128 GT/s。
    • LC系列: 高容量企業級SSD，其中LC9系列可提供高達245.76TB的容量，專為AI系統中的向量資料庫等應用設計。
    • FL系列: 採用鎧俠XL-FLASH儲存級記憶體（SCM），提供低延遲、高耐用度，支援高達60 DWPD（每日全碟寫入次數），適用於伺服器快取和日誌記錄等應用。
    • CD9P系列: 支援PCIe® 5.0 NVMe™的SSD，專為生成式AI和高性能計算（HPC）設計，採用第8代BiCS FLASH™ TLC。2.5吋型號最高達61.44TB，E3.S型號最高達30.72TB，隨機讀取高達2,600K IOPS，隨機寫入高達750K IOPS。
  • AI專用儲存技術:
    • AiSAQ™: 鎧俠正在研發基於SSD的AiSAQ™系統，用於生成式AI中的檢索增強生成（RAG），旨在解決基於DRAM的向量資料庫的限制。
    • 未來IOPS目標: 鎧俠的目標是實現200M IOPS，並計劃在2027年透過PCIe 7.0和第3代XL-FLASH實現10M IOPS（512位元組隨機讀取）。
  • 外形規格: 支援2.5吋、E3.S以及M.2（用於客戶端SSD）。EDSFF（企業和資料中心標準外形規格）正成為超大規模資料中心的新標準。

🔮 前景展望AI analysis grounded in cited sources

鎧俠將鞏固其作為AI基礎設施繁榮的關鍵推動者地位。
其專注於高容量、高效能企業級SSD和下一代BiCS FLASH，以及對AiSAQ™等AI專用儲存解決方案的戰略投資，直接滿足了AI資料中心不斷增長的需求。
AI驅動的需求將從根本上改變NAND快閃記憶體市場的週期性。
AI對高價值企業級儲存永不滿足且持續的需求，正在創造一個「超級週期」，使其較少受到傳統消費性電子產品波動的影響。
鎧俠計劃在美國掛牌ADR將增強其全球資本獲取能力並加速擴張計劃。
在美國上市將提供更廣泛的投資者接觸，並可能為研發和製造產能擴張提供更多資金，這對於在資本密集型記憶體產業中競爭至關重要。

⏳ 時間線

1987
東芝（鎧俠前身）發明NAND快閃記憶體。
2007
鎧俠（當時為東芝記憶體）發布BiCS FLASH™ 3D快閃記憶體技術。
2017
東芝的記憶體業務從東芝集團中分拆。
2019-10
東芝記憶體公司正式更名為鎧俠公司（Kioxia Corporation）。
2024-03-28
鎧俠推出第8代BiCS FLASH™新技術，具有218層和改進的性能。
2025-09-10
鎧俠開始向特定客戶提供KIOXIA LC9系列高容量NVMe企業級SSD樣品，容量高達245.76TB，用於AI資料中心。
2026-04-08
鎧俠收購台灣記憶體製造商南亞科技（Nanya Technology）的普通股。
2026-05-17
鎧俠宣布計劃在美國掛牌ADR，此前其2026年第一季獲利大幅增長。
📊閱讀原文： Bloomberg Technology
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